18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1318KV18-250BZC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Access Time**: 3.0 ns (max)  
- **Cycle Time**: 4.0 ns (max)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed performance  
  - Byte Write capability  
  - Single-cycle deselect  
  - Echo clocks for simplified data capture  
  - JTAG boundary scan support  
  - On-chip address and data pipeline registers  

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.