18-Mbit QDR?-II SRAM 4-Word Burst Architecture The CY7C1315CV18-250BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM (Static Random-Access Memory) component designed by Cypress Semiconductor. With a capacity of 2Mb (128K x 18), this device is optimized for applications requiring fast data access and low latency, making it suitable for networking, telecommunications, and high-speed computing systems.  

Operating at a clock frequency of 250 MHz, the CY7C1315CV18-250BZI delivers high-speed data throughput while maintaining low power consumption. It features a synchronous pipeline architecture, allowing for efficient data transfer with minimal delay. The 1.8V core voltage ensures energy efficiency, while the HSTL (High-Speed Transceiver Logic) I/O interface supports robust signal integrity in high-speed environments.  

This SRAM is designed with a burst mode operation, enabling sequential data access for improved performance in cache and buffer applications. Its industrial temperature range (-40°C to +85°C) ensures reliable operation in demanding conditions. The device is housed in a 165-ball BGA (Ball Grid Array) package, offering a compact footprint for space-constrained designs.  

Engineers and system designers favor the CY7C1315CV18-250BZI for its combination of speed, power efficiency, and reliability, making it a preferred choice for high-performance embedded systems.