18-Mb QDR(TM)-II SRAM 4-Word Burst Architecture The CY7C1315AV18-200BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 18 Mbit (1M x 18)  
3. **Speed**: 200 MHz  
4. **Access Time**: 3.5 ns  
5. **Voltage Supply**: 1.8V (VDD)  
6. **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
7. **Organization**: 1,048,576 words x 18 bits  
8. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
9. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
10. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
11. **Features**:  
   - Pipelined operation for high-speed performance  
   - Byte Write capability  
   - On-chip address and data registers  
   - Single-cycle deselect  
   - ZZ (Sleep Mode) for power saving  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other applications requiring fast data access.  

(Note: Cypress Semiconductor was acquired by Infineon Technologies in 2020.)