18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1314KV18-250BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: 18-Mbit (1M x 18) Synchronous Pipelined SRAM  
- **Speed**: 250 MHz (4 ns clock-to-output)  
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array), 13mm × 15mm  
- **Operating Temperature**: -40°C to +95°C (Industrial)  
- **Features**:  
  - Pipelined and flow-through operation  
  - Byte Write capability (×18)  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - Single-cycle deselect for reduced power  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - Burst modes: Linear or Interleaved  

This device is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.