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CY7C1314KV18-250BZC from CYPRESS

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CY7C1314KV18-250BZC

Manufacturer: CYPRESS

18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1314KV18-250BZC,CY7C1314KV18250BZC CYPRESS 65 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1314KV18-250BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Cycle Time**: 4 ns (max)  
- **Access Time**: 3.2 ns (max)  
- **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Byte Write capability  
  - Burst mode operation  
  - On-chip address and data pipelining  
  - Single-cycle deselect  
  - JTAG boundary scan support  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture# Technical Documentation: CY7C1314KV18250BZC 18Mb QDR-IV SRAM

*Manufacturer: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1314KV18250BZC is a 18-Megabit Quad Data Rate IV (QDR-IV) SRAM optimized for high-performance networking and computing applications requiring sustained bandwidth and deterministic latency.

 Primary Applications: 
-  Network Packet Buffering : Ideal for storing incoming/outgoing packets in routers, switches, and network interface cards where predictable access patterns and high bandwidth are critical
-  Look-Aside Processors : Serving as cache memory for network processors, ASICs, and FPGAs in packet processing applications
-  Data Plane Memory : Storage for routing tables, statistics counters, and quality-of-service (QoS) parameters in networking equipment
-  Radar/Sonar Systems : Real-time signal processing applications requiring high-speed data acquisition and processing

### Industry Applications
 Networking Infrastructure: 
- Core routers (400G/800G platforms)
- Enterprise switches
- Wireless base stations (5G infrastructure)
- Network security appliances

 Computing Systems: 
- High-performance computing clusters
- Data center acceleration cards
- Test and measurement equipment
- Medical imaging systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Deterministic Performance : Separate read/write ports eliminate bus contention, ensuring consistent latency
-  High Bandwidth : QDR-IV architecture delivers up to 4500 MB/s throughput at 500 MHz
-  Low Latency : Pipeline and flow-through modes support various system timing requirements
-  Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) supports harsh environments

 Limitations: 
-  Power Consumption : Higher than DDR SDRAM alternatives (typical ICC: 750 mA)
-  Cost per Bit : More expensive than commodity DRAM solutions
-  Density Limitations : Maximum 72Mb in QDR-IV family compared to GB-range DDR memories
-  Interface Complexity : Requires careful timing closure and signal integrity management

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Issues: 
-  Problem : Failure to meet setup/hold times due to clock skew
-  Solution : Implement matched-length routing for all clock and data signals; use PLL for precise clock generation

 Signal Integrity Challenges: 
-  Problem : Ringing and overshoot on high-speed signals
-  Solution : Implement proper termination (series termination typically 25-50Ω); use controlled impedance PCB stackup

 Power Distribution: 
-  Problem : Voltage droop during simultaneous switching outputs (SSO)
-  Solution : Use dedicated power planes; place decoupling capacitors close to power pins (mix of 0.1μF, 0.01μF, and 1μF)

### Compatibility Issues

 Controller Interface: 
- Requires QDR-IV compatible memory controller (typically in FPGAs or ASICs)
- Not directly compatible with DDR3/4 controllers
- May require voltage level translation when interfacing with 1.2V or 1.8V logic

 Voltage Domains: 
- Core voltage: 1.2V ±5%
- I/O voltage: 1.5V ±5% (HSTL compatible)
- Requires precise power sequencing: VDD before VDDQ

### PCB Layout Recommendations

 Stackup Requirements: 
- Minimum 6-layer stackup recommended:
  - Layer 1: Signal (address/control)
  - Layer 2: Ground
  - Layer 3: Power (VDD)
  - Layer 4: Signal (data)
  - Layer 5: Ground
  - Layer 6: Power

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