18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1314BV18-200BZC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Organization**: 1M x 18 bits  
- **Speed**: 200 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V  
- **Access Time**: 3.5 ns  
- **Cycle Time**: 5 ns  
- **Interface**: Synchronous (ZBT™ or NoBL™)  
- **I/O Type**: LVCMOS  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed applications  
  - Byte write capability  
  - Single-cycle deselect  
  - Burst mode support (linear or interleaved)  
  - JTAG boundary scan  

This SRAM is designed for networking, telecommunications, and other high-performance applications requiring fast data access.

18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1314BV18-200BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Memory Size**: 4 Mbit (256K x 18)
- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM
- **Speed**: 200 MHz
- **Operating Voltage**: 1.8V (VDD)
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)
- **Access Time**: 3.7 ns (max)
- **Cycle Time**: 5 ns (min)
- **Organization**: 256K words × 18 bits
- **Package**: 165-ball FBGA (BZC)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Features**: 
  - Byte Write capability
  - Single-cycle deselect
  - Echo clocks for data output synchronization
  - ZZ (sleep mode) for power saving
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic) compatible
- **Refresh**: Not required (SRAM)
- **Data Retention**: Non-volatile (requires power to retain data)