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CY7C1314BV18-200BZC from CYPRESS

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CY7C1314BV18-200BZC

Manufacturer: CYPRESS

18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1314BV18-200BZC,CY7C1314BV18200BZC CYPRESS 348 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1314BV18-200BZC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Organization**: 1M x 18 bits  
- **Speed**: 200 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V  
- **Access Time**: 3.5 ns  
- **Cycle Time**: 5 ns  
- **Interface**: Synchronous (ZBT™ or NoBL™)  
- **I/O Type**: LVCMOS  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed applications  
  - Byte write capability  
  - Single-cycle deselect  
  - Burst mode support (linear or interleaved)  
  - JTAG boundary scan  

This SRAM is designed for networking, telecommunications, and other high-performance applications requiring fast data access.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture# CY7C1314BV18200BZC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1314BV18200BZC is a high-performance 18-Mbit (512K × 36) pipelined synchronous SRAM designed for applications requiring high-bandwidth memory operations. Typical use cases include:

-  Network Processing : Packet buffering in routers, switches, and network interface cards where high-speed data storage and retrieval are critical
-  Telecommunications Equipment : Base station controllers and signal processing units requiring low-latency memory access
-  Data Acquisition Systems : Real-time data capture and temporary storage in industrial automation and test equipment
-  Medical Imaging : Ultrasound and MRI systems requiring rapid image data processing and temporary storage
-  Military/Aerospace : Radar systems and avionics where reliable high-speed memory is essential

### Industry Applications
-  Networking Infrastructure : Core routers, edge switches, and network security appliances
-  Wireless Communications : 4G/5G baseband units and radio access network equipment
-  Industrial Automation : Programmable logic controllers (PLCs) and motor control systems
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS) and infotainment systems
-  Test & Measurement : High-speed oscilloscopes and spectrum analyzers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Speed : 200 MHz operation with 3.6 ns clock-to-data access time
-  Pipelined Architecture : Enables sustained high-throughput data transfer
-  Low Power : 1.8V core voltage with automatic power-down features
-  High Density : 18-Mbit capacity in compact packaging
-  Synchronous Operation : Simplified timing control compared to asynchronous SRAM

 Limitations: 
-  Higher Cost : More expensive than DRAM or asynchronous SRAM alternatives
-  Power Consumption : Higher static power compared to DRAM in large memory arrays
-  Complex Interface : Requires precise clock synchronization and control signal management
-  Limited Scalability : Fixed density may not suit all application requirements

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Violations 
-  Pitfall : Insufficient setup/hold time margins causing data corruption
-  Solution : Implement precise clock tree synthesis and maintain strict timing analysis
-  Recommendation : Use manufacturer-provided timing models with 15-20% margin

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed data lines
-  Solution : Implement proper termination schemes (series termination typically 22-33Ω)
-  Recommendation : Use controlled impedance PCB traces with length matching

 Power Distribution Problems 
-  Pitfall : Voltage droop during simultaneous switching output (SSO) events
-  Solution : Implement adequate decoupling capacitor network
-  Recommendation : Use multiple capacitor values (0.1μF, 0.01μF, 1μF) near power pins

### Compatibility Issues with Other Components

 Voltage Level Compatibility 
- The 1.8V LVCMOS interface requires level translation when interfacing with 3.3V or 5V components
- Recommended level translators: TXB0108 (8-bit bidirectional) or SN74LVC8T245 (8-bit directional)

 Clock Domain Crossing 
- Synchronization required when interfacing with components running at different clock frequencies
- Use dual-clock FIFOs or proper metastability hardening techniques

 Bus Loading Considerations 
- Maximum of 4 devices per bus segment without buffer chips
- For larger arrays, use CY7C1352C bus buffer chips

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VDD (1.8V) and VDDQ (I/O power)
-

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1314BV18-200BZC,CY7C1314BV18200BZC CY 257 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1314BV18-200BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Memory Size**: 4 Mbit (256K x 18)
- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM
- **Speed**: 200 MHz
- **Operating Voltage**: 1.8V (VDD)
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)
- **Access Time**: 3.7 ns (max)
- **Cycle Time**: 5 ns (min)
- **Organization**: 256K words × 18 bits
- **Package**: 165-ball FBGA (BZC)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Features**: 
  - Byte Write capability
  - Single-cycle deselect
  - Echo clocks for data output synchronization
  - ZZ (sleep mode) for power saving
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic) compatible
- **Refresh**: Not required (SRAM)
- **Data Retention**: Non-volatile (requires power to retain data)

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture# Technical Documentation: CY7C1314BV18200BZC 18Mb Pipelined SRAM

*Manufacturer: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1314BV18200BZC is a high-performance 18-Mbit pipelined synchronous SRAM organized as 512K × 36 bits, designed for applications requiring high-bandwidth memory operations. Typical use cases include:

 Network Processing Systems 
-  Packet Buffering : Stores incoming/outgoing data packets in network switches and routers
-  Lookup Tables : Maintains routing tables and MAC address databases
-  Quality of Service (QoS) Buffers : Manages priority queues for different traffic classes

 Telecommunications Equipment 
-  Base Station Controllers : Handles channel element processing in 4G/5G infrastructure
-  Digital Signal Processing : Serves as temporary storage for DSP algorithms
-  Voice/Data Multiplexers : Buffers time-division multiplexed data streams

 Industrial Control Systems 
-  Real-time Data Acquisition : Stores sensor data from high-speed monitoring systems
-  Motion Control Buffers : Maintains trajectory data for CNC machines and robotics
-  Image Processing : Acts as frame buffer for machine vision systems

### Industry Applications

 Networking & Communications 
- Core routers and enterprise switches (Cisco, Juniper platforms)
- Wireless base station equipment (Ericsson, Nokia solutions)
- Network interface cards supporting 10/40/100 Gigabit Ethernet

 Automotive & Aerospace 
- Advanced driver assistance systems (ADAS) processing units
- Avionics display systems and flight control computers
- Satellite communication payload processors

 Medical Imaging 
- MRI and CT scan data acquisition systems
- Ultrasound signal processing units
- Digital X-ray image buffers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : 200 MHz operation with 7.2 GB/s theoretical bandwidth
-  Low Latency : Pipelined architecture enables single-cycle operations after initial latency
-  Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) support
-  Ease of Integration : Standard HSTL I/O interface simplifies system design

 Limitations: 
-  Power Consumption : Typical 990 mW active power may require thermal management
-  Cost Consideration : Higher per-bit cost compared to DRAM alternatives
-  Density Limitations : Maximum 18Mb density may require multiple devices for larger memory requirements
-  Refresh Complexity : Unlike DRAM, no refresh required, but this comes at area/power cost

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Sequencing 
- *Pitfall*: Improper power-up sequencing can cause latch-up or device damage
- *Solution*: Implement controlled power sequencing with VDD ≥ VDDQ, core power stable before I/O power

 Signal Integrity Issues 
- *Pitfall*: Ringing and overshoot on high-speed address/control lines
- *Solution*: Use series termination resistors (22-33Ω) close to driver outputs
- *Pitfall*: Clock jitter affecting timing margins
- *Solution*: Use low-jitter clock sources and minimize clock path length

 Timing Violations 
- *Pitfall*: Setup/hold time violations at maximum frequency
- *Solution*: Perform thorough timing analysis across process, voltage, temperature corners
- *Pitfall*: Simultaneous switching output noise
- *Solution*: Implement proper decoupling and ground plane design

### Compatibility Issues with Other Components

 Controller Interface Compatibility 
-  FPGA Integration : Compatible with Xilinx Virtex/Kintex series and Intel Stratix/Arria FPGAs using H

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