18-Mbit QDR(TM)-II SRAM 4-Word Burst Architecture The CY7C1313V18-200BZC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Density**: 4 Mbit (organized as 256K x 18)
- **Speed**: 200 MHz (5 ns access time)
- **Voltage Supply**: 1.8V ±0.1V (core and I/O)
- **Interface**: Synchronous pipeline with ZQ™ (impedance-controlled output)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm x 15mm)
- **Features**:
  - Burst modes: Linear, interleaved
  - On-chip address and data pipeline registers
  - Byte write control
  - Single-cycle deselect
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - HSTL (1.8V) compatible I/O
  - Clock stop capability
  - ZZ sleep mode for power saving
- **Applications**: Networking, telecommunications, and high-performance computing systems.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet for CY7C1313V18 series.)