18-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture The CY7C1313KV18-250BZXI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
3. **Organization**: 1,048,576 words x 18 bits  
4. **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock cycle)  
5. **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) ±5%  
6. **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
7. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
8. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
9. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
10. **Burst Modes**: Linear or Interleaved  
11. **Pipeline Stages**: Two-cycle read latency  
12. **Features**:  
   - Byte Write capability  
   - On-chip address and control signal registers  
   - Single-cycle deselect  
   - ZZ (Sleep Mode) power-down feature  
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

13. **Applications**: Networking, telecommunications, and high-speed data processing systems.  

For exact details, refer to the official datasheet from Infineon/Cypress.