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CY7C1313KV18-250BZC from CY,Cypress

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CY7C1313KV18-250BZC

Manufacturer: CY

18-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1313KV18-250BZC,CY7C1313KV18250BZC CY 60 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture The CY7C1313KV18-250BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 2Mb (128K x 18)  
3. **Speed**: 250 MHz  
4. **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) and 1.5V (VDDQ)  
5. **Organization**: 128K words x 18 bits  
6. **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
7. **Access Time**: 3.5 ns (max)  
8. **Cycle Time**: 4.0 ns  
9. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
10. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
11. **Features**:  
   - Pipelined operation for high-speed performance  
   - Single-cycle deselect for reduced power consumption  
   - Byte Write capability  
   - JTAG boundary scan support  
   - On-chip address and data pipeline registers  

This SRAM is designed for high-bandwidth applications such as networking, telecommunications, and data processing.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture# CY7C1313KV18250BZC 18Mb Pipelined SRAM Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1313KV18250BZC is a high-performance 18-Mbit pipelined SRAM organized as 512K × 36 bits, designed for applications requiring high-speed data access with minimal latency.

 Primary Use Cases: 
-  Network Processing : Packet buffering in routers, switches, and network interface cards where high bandwidth and low latency are critical
-  Telecommunications Equipment : Base station processing, signal processing buffers, and data plane memory in 5G infrastructure
-  Data Center Applications : Cache memory in storage controllers, RAID systems, and server acceleration cards
-  Medical Imaging : High-speed frame buffers for ultrasound, MRI, and CT scan processing systems
-  Military/Aerospace : Radar signal processing, avionics systems, and mission computers requiring reliable high-speed memory

### Industry Applications

 Networking & Communications 
-  Core Routers : Line card packet buffering with sustained 250MHz operation
-  Wireless Infrastructure : Baseband processing in 4G/5G base stations
-  Optical Transport : SONET/SDH equipment requiring deterministic access times

 Industrial & Automotive 
-  Factory Automation : Real-time control system memory in PLCs and motor drives
-  Automotive ADAS : Sensor fusion processing and temporary data storage
-  Test & Measurement : High-speed data acquisition systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Performance : 250MHz operation with 3.0ns clock-to-data access
-  Large Density : 18Mb capacity in compact 165-ball BGA package
-  Low Power : 1.8V core voltage with automatic power-down features
-  Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) operation
-  Ease of Integration : Common I/O architecture simplifies board design

 Limitations: 
-  Cost Considerations : Higher per-bit cost compared to DDR SDRAM
-  Power Consumption : Static power higher than low-power DRAM alternatives
-  Density Limitations : Not suitable for mass storage applications
-  Interface Complexity : Requires careful timing closure in high-speed designs

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Issues 
-  Pitfall : Failure to meet setup/hold times at maximum frequency
-  Solution : Implement proper clock tree synthesis and use manufacturer-recommended timing constraints
-  Implementation : Use matched-length routing for address/control signals with 50-ohm impedance control

 Signal Integrity Challenges 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed data lines
-  Solution : Implement series termination resistors (22-33Ω) close to driver
-  Verification : Perform post-layout simulation with IBIS models

 Power Distribution Problems 
-  Pitfall : Voltage droop during simultaneous switching output (SSO) events
-  Solution : Use dedicated power planes with adequate decoupling
-  Implementation : Place 0.1μF and 0.01μF capacitors within 100mil of each power pin

### Compatibility Issues

 Voltage Level Compatibility 
-  Core Voltage : 1.8V ±0.1V requires precise power supply regulation
-  I/O Voltage : 1.8V HSTL interface requires proper termination
-  Mixed Voltage Systems : May require level translators when interfacing with 3.3V or 2.5V logic

 Controller Interface Requirements 
-  Synchronous Operation : Requires compatible memory controller with pipelined support
-  Timing Constraints : Controller must support 3-cycle read latency
-  Burst Support : Compatible with linear burst

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