18-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture The CY7C1313KV18-250BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 2Mb (128K x 18)  
3. **Speed**: 250 MHz  
4. **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) and 1.5V (VDDQ)  
5. **Organization**: 128K words x 18 bits  
6. **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
7. **Access Time**: 3.5 ns (max)  
8. **Cycle Time**: 4.0 ns  
9. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
10. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
11. **Features**:  
   - Pipelined operation for high-speed performance  
   - Single-cycle deselect for reduced power consumption  
   - Byte Write capability  
   - JTAG boundary scan support  
   - On-chip address and data pipeline registers  

This SRAM is designed for high-bandwidth applications such as networking, telecommunications, and data processing.