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CY7C1313BV18-167BZC from CYPRESS

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CY7C1313BV18-167BZC

Manufacturer: CYPRESS

18-Mbit QDR?-II SRAM 4-Word Burst Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1313BV18-167BZC,CY7C1313BV18167BZC CYPRESS 21 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit QDR?-II SRAM 4-Word Burst Architecture The CY7C1313BV18-167BZC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 4 Mbit (256K x 18)  
- **Speed**: 167 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V  
- **Access Time**: 3.0 ns (clock-to-data)  
- **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Organization**: 256K words × 18 bits  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed performance  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  
  - Burst mode support (linear or interleaved)  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - On-chip address and data pipeline registers  

This SRAM is designed for applications requiring high-speed data access, such as networking, telecommunications, and high-performance computing.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit QDR?-II SRAM 4-Word Burst Architecture # Technical Documentation: CY7C1313BV18167BZC 18Mb Pipelined SRAM

*Manufacturer: CYPRESS*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1313BV18167BZC is a high-performance 18-Mbit pipelined SRAM organized as 512K × 36 bits, designed for applications requiring high-bandwidth memory operations. Typical use cases include:

-  Network Processing : Packet buffering in routers, switches, and network interface cards where high-speed data storage and retrieval are critical
-  Telecommunications Equipment : Base station controllers and signal processing units requiring low-latency memory access
-  High-Performance Computing : Cache memory in servers and workstations
-  Medical Imaging Systems : Real-time image processing and temporary storage in MRI, CT scanners, and ultrasound equipment
-  Military/Aerospace Systems : Radar signal processing and avionics where reliability and speed are paramount

### Industry Applications
-  Data Center Infrastructure : Used in network switches and storage area network (SAN) equipment
-  Wireless Communications : 4G/5G base stations and core network elements
-  Industrial Automation : Real-time control systems and robotics
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS) and infotainment systems
-  Test and Measurement : High-speed data acquisition systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 167MHz clock frequency with pipelined architecture enables sustained high-throughput data transfer
-  Low Latency : Registered inputs and outputs provide predictable timing characteristics
-  Large Memory Capacity : 18Mb density supports substantial data storage requirements
-  No Refresh Required : Unlike DRAM, maintains data without refresh cycles
-  Industrial Temperature Range : Operates from -40°C to +85°C for harsh environments

 Limitations: 
-  Higher Power Consumption : Compared to DRAM alternatives, consumes more power per bit
-  Cost per Bit : More expensive than equivalent density DRAM solutions
-  Voltage Sensitivity : Requires precise 3.3V power supply regulation
-  Package Size : 165-ball FBGA package requires advanced PCB manufacturing capabilities

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling: 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing signal integrity issues and false memory operations
-  Solution : Implement multiple 0.1μF ceramic capacitors near power pins, plus bulk capacitance (10-100μF) for the entire power plane

 Clock Distribution: 
-  Pitfall : Clock skew affecting synchronous operation
-  Solution : Use matched-length traces for clock signals and implement proper termination

 Signal Integrity: 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed signals
-  Solution : Implement series termination resistors (typically 22-33Ω) on address and control lines

### Compatibility Issues with Other Components

 Processor/Memory Controller Interface: 
- Requires compatible pipelined SRAM controller with appropriate timing parameters
- Verify voltage level compatibility (3.3V LVCMOS)
- Ensure proper setup/hold time matching with controlling device

 Mixed-Signal Systems: 
- Potential noise coupling to analog circuits
- Implement proper grounding separation and filtering

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution: 
- Use dedicated power planes for VDD and VSS
- Implement multiple vias for power connections to reduce inductance
- Place decoupling capacitors as close as possible to power pins

 Signal Routing: 
- Route address, data, and control signals as matched-length groups
- Maintain characteristic impedance of 50Ω for single-ended signals
- Keep high-speed traces away from clock and other noise-sensitive signals

 Thermal Management: 
- Provide adequate thermal vias under the package

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