18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1312KV18-300BZXI is a QDR-II+ SRAM device manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: QDR-II+ SRAM (Quad Data Rate II+ Synchronous SRAM)  
2. **Density**: 18 Mbit (1M x 18)  
3. **Speed**: 300 MHz (3.3 ns clock cycle)  
4. **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
5. **Voltage Supply**: 1.5V (VDD) and 1.8V (VDDQ)  
6. **Interface**: Separate input/output (I/O) DDR ports (read/write concurrency)  
7. **Data Rate**: 600 Mbps (double data rate on each port)  
8. **Latency**: Programmable (2 or 2.5 clock cycles for read)  
9. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
10. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
11. **Features**:  
   - Pipelined and flow-through operation  
   - Echo clocks for data capture  
   - Burst lengths of 2 or 4  

This device is optimized for high-performance networking and telecommunications applications.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet for CY7C1312KV18.)