18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1312KV18-250BZXC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
3. **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock-to-output)  
4. **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
5. **I/O Voltage**: 1.5V (HSTL compatible)  
6. **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
7. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
8. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
9. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
10. **Features**:  
   - Pipelined and flow-through operation  
   - Byte write capability  
   - JTAG boundary scan support  
   - On-chip address and data pipeline registers  
   - Burst mode support (linear or interleaved)  

This SRAM is designed for high-performance networking and computing applications.