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CY7C1312KV18-250BZXC from CY,Cypress

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CY7C1312KV18-250BZXC

Manufacturer: CY

18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1312KV18-250BZXC,CY7C1312KV18250BZXC CY 2 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1312KV18-250BZXC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
3. **Speed**: 250 MHz (4.0 ns clock-to-output)  
4. **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
5. **I/O Voltage**: 1.5V (HSTL compatible)  
6. **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
7. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
8. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
9. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
10. **Features**:  
   - Pipelined and flow-through operation  
   - Byte write capability  
   - JTAG boundary scan support  
   - On-chip address and data pipeline registers  
   - Burst mode support (linear or interleaved)  

This SRAM is designed for high-performance networking and computing applications.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture# CY7C1312KV18250BZXC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1312KV18250BZXC 18Mb QDR®-II+ SRAM serves as high-performance memory in systems requiring simultaneous read/write operations with deterministic latency. Key use cases include:

-  Network Processing : Packet buffering in routers and switches where simultaneous read/write operations are essential for maintaining throughput
-  Medical Imaging : Real-time image processing systems requiring high-bandwidth memory access for frame buffers
-  Test & Measurement : High-speed data acquisition systems storing and processing captured waveforms
-  Military/Aerospace : Radar and sonar signal processing applications demanding reliable operation in harsh environments

### Industry Applications
-  Telecommunications : Base station equipment and network infrastructure
-  Industrial Automation : Real-time control systems and robotics
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS) and infotainment
-  Data Centers : Cache memory in storage controllers and network interface cards

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Dual-Port Architecture : Separate read/write ports enable simultaneous operations
-  Deterministic Timing : Fixed latency eliminates memory access uncertainties
-  High Bandwidth : 250MHz operation with DDR interfaces provides up to 18GB/s bandwidth
-  Low Power : 1.5V core voltage with automatic power-down features
-  Industrial Temperature Range : -40°C to +105°C operation

 Limitations: 
-  Complex Interface : Requires careful timing analysis and signal integrity management
-  Higher Cost : Premium pricing compared to conventional SRAM
-  Power Consumption : Higher than low-power SRAM alternatives during active operation
-  Board Space : 165-ball BGA package demands sophisticated PCB design

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Violations 
-  Pitfall : Insufficient timing margin due to clock skew and signal propagation delays
-  Solution : Implement precise clock tree synthesis and use timing analysis tools with worst-case scenarios

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Reflections and crosstalk degrading signal quality at high frequencies
-  Solution : Implement proper termination schemes (typically 50Ω to VTT) and controlled impedance routing

 Power Distribution Problems 
-  Pitfall : Voltage droop causing timing violations or data corruption
-  Solution : Use dedicated power planes with adequate decoupling capacitors (0.1μF and 0.01μF combinations)

### Compatibility Issues

 Voltage Level Matching 
- The 1.5V HSTL I/O requires proper level translation when interfacing with 3.3V or 1.8V systems

 Clock Domain Synchronization 
- Multiple clock domains (K, K#, C, C#) require careful phase alignment and skew management

 Controller Interface 
- Requires QDR-II+ compatible memory controllers; not directly compatible with standard SRAM interfaces

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use separate power planes for VDD (1.5V), VDDQ (1.5V), and VREF
- Place decoupling capacitors within 100 mils of power pins
- Implement multiple vias for power connections to reduce inductance

 Signal Routing 
- Route address, control, and data buses as matched-length groups
- Maintain 50Ω single-ended impedance for all signals
- Keep trace lengths under 3 inches for 250MHz operation
- Use ground planes adjacent to signal layers for return paths

 Clock Routing 
- Route K and K# as differential pairs with tight coupling
- Match clock trace lengths to data/address buses within ±50 mils
- Avoid crossing plane splits in clock routing

 Thermal Management 
- Provide adequate thermal vias under the

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