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CY7C1312KV18-250BZC from CYPRESS

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CY7C1312KV18-250BZC

Manufacturer: CYPRESS

18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1312KV18-250BZC,CY7C1312KV18250BZC CYPRESS 183 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1312KV18-250BZC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18 Mb (1M x 18)  
- **Speed**: 250 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Cycle Time**: 4 ns (max)  
- **Access Time**: 2.5 ns (max)  
- **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed performance  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  
  - Byte Write capability  
  - JTAG boundary scan support  
  - On-chip address and data pipeline registers  

This SRAM is commonly used in networking, telecommunications, and high-performance computing applications.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture# CY7C1312KV18250BZC 18Mb QDR-IV SRAM Technical Documentation

*Manufacturer: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1312KV18250BZC is a high-performance 18-Mbit QDR-IV SRAM specifically designed for applications requiring sustained high bandwidth and low latency memory operations. Typical use cases include:

 Network Processing Systems 
-  Packet Buffering : Handles high-speed packet storage in network switches and routers operating at 40G/100G Ethernet speeds
-  Look-up Tables : Stores forwarding tables and routing information with deterministic access times
-  Statistics Counters : Maintains real-time network traffic statistics with burst access capabilities

 Telecommunications Infrastructure 
-  Base Station Processing : Supports 5G baseband units requiring high-speed data buffering
-  Signal Processing : Enables real-time signal processing in wireless infrastructure equipment
-  Protocol Conversion : Facilitates high-speed data conversion between different communication protocols

 High-Performance Computing 
-  Cache Memory : Serves as L3/L4 cache in high-performance servers and computing systems
-  Data Acquisition : Supports high-speed data capture in scientific and medical imaging systems
-  Real-time Processing : Enables low-latency processing in financial trading systems and military/aerospace applications

### Industry Applications

 Data Center Equipment 
-  Network Switches : Provides line-rate packet buffering in top-of-rack and core switches
-  Storage Controllers : Supports cache operations in storage area network (SAN) equipment
-  Server Accelerators : Enhances performance in application-specific server accelerators

 Wireless Infrastructure 
-  5G NR Equipment : Supports massive MIMO processing and beamforming calculations
-  Small Cells : Provides memory for processing in metro and enterprise small cells
-  Core Network Elements : Handles data plane processing in mobile core network equipment

 Test and Measurement 
-  Protocol Analyzers : Stores captured data in high-speed network analyzers
-  Oscilloscopes : Provides acquisition memory in high-bandwidth digital oscilloscopes
-  Signal Generators : Supports waveform storage and playback in arbitrary waveform generators

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : Supports up to 72 Gbps total bandwidth with 450 MHz operation
-  Deterministic Latency : Guaranteed access times with separate read/write ports
-  Low Power : 1.5V VDD operation with automatic power-down features
-  Burst Operation : Efficient 2-word burst transfers minimize command overhead
-  Industrial Temperature : Available in -40°C to +85°C operating range

 Limitations: 
-  Higher Cost : Premium pricing compared to DDR SDRAM solutions
-  Complex Interface : Requires careful timing closure for all four clock domains
-  Limited Density : Maximum 72Mb density may require multiple devices for larger memory requirements
-  Power Consumption : Higher active power compared to lower-speed memory technologies

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Challenges 
-  Pitfall : Failure to meet setup/hold times across multiple clock domains
-  Solution : Implement proper clock tree synthesis with matched trace lengths
-  Implementation : Use manufacturer-recommended timing constraints and perform extensive post-layout simulation

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Signal degradation due to improper termination and routing
-  Solution : Implement on-die termination (ODT) and controlled impedance routing
-  Implementation : Use 50Ω single-ended and 100Ω differential impedance matching

 Power Distribution Problems 
-  Pitfall : Voltage droop during simultaneous switching output (SSO) events
-  Solution : Implement comprehensive decoupling strategy with multiple capacitor values

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