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CY7C1312CV18-167BZI from CYPRESS

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CY7C1312CV18-167BZI

Manufacturer: CYPRESS

18-Mbit QDR-II? SRAM 2-Word Burst Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1312CV18-167BZI,CY7C1312CV18167BZI CYPRESS 102 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit QDR-II? SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1312CV18-167BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 4Mb (256K x 18)  
- **Speed**: 167 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V  
- **I/O Voltage**: 1.8V  
- **Access Time**: 5.4 ns  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed performance  
  - Burst mode support  
  - Byte write capability  
  - Single-cycle deselect  
  - JTAG boundary scan  

This SRAM is designed for applications requiring high-speed data access, such as networking and telecommunications equipment.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit QDR-II? SRAM 2-Word Burst Architecture # CY7C1312CV18167BZI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1312CV18167BZI 18-Mbit QDR®-IV SRAM serves as high-performance memory in applications requiring sustained bandwidth and deterministic latency. Primary use cases include:

-  Network Processing : Functions as packet buffer memory in routers, switches, and network interface cards handling 100G/400G Ethernet
-  Signal Processing : Acts as data buffer in radar systems, medical imaging equipment, and baseband processing units
-  Cache Memory : Serves as L3/L4 cache in high-performance computing systems and storage controllers
-  Data Acquisition : Buffers high-speed ADC/DAC data in test and measurement equipment

### Industry Applications
 Telecommunications Infrastructure 
- 5G baseband units (BBUs) and remote radio heads (RRHs)
- Optical transport network (OTN) equipment
- Network function virtualization (NFV) platforms

 Aerospace and Defense 
- Radar signal processing systems
- Electronic warfare systems
- Avionics mission computers

 Industrial Automation 
- Real-time motion controllers
- Machine vision systems
- Industrial networking equipment

 Medical Imaging 
- CT/MRI/PET scanner data acquisition
- Ultrasound signal processing
- Digital X-ray systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Deterministic Latency : Fixed read/write latency enables predictable system performance
-  High Bandwidth : 533 MHz clock frequency delivers 34.1 GB/s bandwidth (x36 configuration)
-  Separate I/O : Independent read/write ports eliminate bus contention
-  Low Power : 1.2V VDD operation with standby current <35mA
-  Temperature Range : Industrial temperature rating (-40°C to +105°C)

 Limitations: 
-  Complex Interface : Requires careful timing closure for separate read/write clocks
-  Power Sequencing : Multiple voltage rails (VDD, VDDQ) need proper sequencing
-  Cost Premium : Higher cost per bit compared to DDR memories
-  Limited Density : Maximum 18Mb density may require multiple devices for larger memory requirements

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Issues 
-  Pitfall : Failure to meet setup/hold times due to clock skew
-  Solution : Implement matched-length routing for all clock and data signals
-  Implementation : Use constraint-driven PCB layout with timing analysis

 Signal Integrity Problems 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed signals
-  Solution : Implement proper termination schemes (series/parallel)
-  Implementation : Use IBIS models for simulation, target 50Ω single-ended impedance

 Power Distribution Network (PDN) 
-  Pitfall : Voltage droop during simultaneous switching
-  Solution : Dedicated power planes with sufficient decoupling
-  Implementation : Place 0.1μF and 0.01μF capacitors near each power pin

### Compatibility Issues

 Voltage Level Compatibility 
-  Core Logic : 1.2V VDD requires level translation when interfacing with 1.8V/3.3V logic
-  I/O Levels : 1.2V, 1.5V, or 1.8V VDDQ options available for interface flexibility

 Clock Domain Crossing 
-  Read/Write Clock Separation : Independent RCLK/WCLK domains require proper synchronization
-  Solution : Use FIFOs or dual-clock synchronizers when crossing domains

 Controller Compatibility 
-  FPGA/ASIC Interfaces : Verify QDR-IV controller IP availability and performance
-  Timing Parameters : Ensure controller meets tCKC/tCKS clock-to-output specifications

### PCB Layout Recommendations

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