18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1312BV18-200BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: 18-Mbit (512K x 36) synchronous pipelined SRAM  
- **Speed**: 200 MHz  
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD) and 1.5V ±5% (VDDQ)  
- **Organization**: 512K words × 36 bits  
- **Access Time**: 3.5 ns (maximum)  
- **Cycle Time**: 5 ns (200 MHz operation)  
- **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed performance  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - Byte write capability (per byte or full word)  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - ZZ (sleep) mode for power saving  

This SRAM is designed for applications requiring high-speed data access, such as networking, telecommunications, and high-performance computing.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet for CY7C1312BV18-200BZC)