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CY7C1312AV18-133BZC from CY,Cypress

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CY7C1312AV18-133BZC

Manufacturer: CY

18-Mb QDR(TM)-II SRAM 2-Word Burst Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1312AV18-133BZC,CY7C1312AV18133BZC CY 48 In Stock

Description and Introduction

18-Mb QDR(TM)-II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C1312AV18-133BZC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications:

- **Type**: 2.5V Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 4Mb (256K x 18)  
- **Speed**: 133 MHz  
- **Access Time**: 3.0 ns (clock-to-data)  
- **Operating Voltage**: 2.375V to 2.625V  
- **I/O Voltage**: 1.65V to 2.75V (LVCMOS)  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm x 15mm)  
- **Organization**: 256K words × 18 bits  
- **Interface**: Synchronous with pipelined output  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Byte Write capability  
  - Single-cycle deselect  
  - Echo clocks for data capture  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-performance networking and computing applications.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mb QDR(TM)-II SRAM 2-Word Burst Architecture# CY7C1312AV18133BZC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1312AV18133BZC 18-Mbit QDR-II+ SRAM serves as high-performance memory in applications requiring sustained bandwidth and deterministic latency:

 Primary Applications: 
-  Network Processing : Line card buffers in routers/switches (100G/400G Ethernet)
-  Telecommunications : Baseband processing in 5G infrastructure
-  Data Center : Cache memory for search engines and database acceleration
-  Test & Measurement : High-speed data acquisition systems
-  Military/Aerospace : Radar signal processing and electronic warfare systems

### Industry Applications
 Networking Equipment 
-  Cisco/Juniper/Arista  routers: Packet buffering with 333 MHz operation
-  FPGA-based systems : Xilinx Virtex-7/UltraScale companion memory
-  Search engine hardware : Google-style content-addressable memory systems

 Telecom Infrastructure 
- 5G NR base stations: Beamforming computation buffers
- Optical transport networks: OTN framing buffer memory
- Microwave backhaul: Signal processing temporary storage

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Deterministic latency : Separate read/write ports eliminate bus contention
-  High bandwidth : 72-bit architecture delivers 24 Gbps throughput
-  Low power : 1.5V VDD operation with standby modes
-  Industrial temperature : -40°C to +85°C operation range

 Limitations: 
-  Complex interfacing : Requires precise timing closure
-  Higher cost : Compared to conventional DDR memories
-  Power consumption : Active current up to 1.8A requires robust power delivery
-  Package complexity : 165-ball BGA demands advanced PCB manufacturing

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Issues 
-  Problem : Failure to meet 1.5ns clock-to-output timing
-  Solution : Implement matched-length routing with 50Ω impedance control
-  Verification : Use IBIS models for signal integrity simulation

 Power Integrity Challenges 
-  Problem : Voltage droop during simultaneous read/write operations
-  Solution : Implement dedicated power planes with multiple decoupling capacitors
  - 10x 0.1μF + 4x 10μF capacitors within 1cm of package
  - Separate analog/digital power supplies with ferrite beads

 Thermal Management 
-  Problem : Junction temperature exceeding 105°C in continuous operation
-  Solution : 
  - Provide adequate copper pours for heat dissipation
  - Consider thermal vias under package (0.3mm diameter recommended)

### Compatibility Issues

 Controller Interface 
-  FPGA Compatibility : Verified with Xilinx 7-series and Intel Stratix V
-  Voltage Level : 1.5V HSTL I/O requires proper termination
-  Clock Domain : Synchronous design with 333 MHz differential clock input

 Mixed-Signal Considerations 
-  Separate Supplies : Isolate VDDQ (I/O) from VDD (core) to reduce noise
-  Reference Voltage : VREF tracking within ±2% of VDDQ/2 required

### PCB Layout Recommendations

 Signal Routing 
```markdown
-  Address/Control Lines : Route as matched-length groups (±10mil tolerance)
-  Data Buses : Maintain 4W spacing between signals
-  Clock Pairs : 100Ω differential impedance with minimal via transitions
```

 Power Distribution 
-  Layer Stackup : Dedicated power planes for VDD, VDDQ, VSS
-  Decoupling : Place capacitors on same side as component when possible
-  Via Placement : Use multiple

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