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CY7C13121KV18-300BZXC from CY,Cypress

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CY7C13121KV18-300BZXC

Manufacturer: CY

18-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C13121KV18-300BZXC,CY7C13121KV18300BZXC CY 150 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C13121KV18-300BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: 72-Mbit (2M x 36) Synchronous Pipelined SRAM  
- **Speed**: 300 MHz (3.3 ns clock-to-data access)  
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.5V (HSTL compatible)  
- **Organization**: 2,097,152 words × 36 bits  
- **Package**: 165-ball BGA (15mm × 17mm)  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined and flow-through operation  
  - Byte-wise write control  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - Burst and linear burst sequencing support  
  - Single-cycle deselect for power savings  

This device is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture # Technical Documentation: CY7C13121KV18300BZXC SRAM

 Manufacturer : Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C13121KV18300BZXC is a 36-Mbit QDR®-IV SRAM organized as 1M × 36, designed for high-performance networking and computing applications requiring sustained bandwidth and deterministic latency.

 Primary Applications: 
-  Network Processing : Packet buffering in routers, switches, and network interface cards requiring 300MHz operation
-  Telecommunications : Base station processing and signal processing in 4G/5G infrastructure
-  Data Center Equipment : Cache memory for storage controllers and server accelerators
-  Medical Imaging : High-speed data acquisition in MRI, CT scanners, and ultrasound systems
-  Military/Aerospace : Radar systems and mission computers requiring reliable operation

### Industry Applications
-  Networking Equipment : Core routers (400G/800G platforms), edge switches, and security appliances
-  Wireless Infrastructure : 5G baseband units and massive MIMO systems
-  Industrial Automation : Real-time control systems and vision processing
-  Test & Measurement : High-speed data acquisition systems and protocol analyzers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : 21.6 GB/s total bandwidth (10.8 GB/s read + 10.8 GB/s write) at 300MHz
-  Deterministic Latency : Fixed pipeline latency ensures predictable performance
-  Separate I/O : Independent read and write ports eliminate bus contention
-  Low Power : 1.5V VDD operation with standby and power-down modes
-  High Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +105°C) operation

 Limitations: 
-  Complex Interface : Requires careful timing analysis and signal integrity management
-  Higher Cost : Premium pricing compared to DDR SDRAM alternatives
-  Power Consumption : Higher than low-power DDR memories in active operation
-  Board Complexity : 165-ball BGA package requires advanced PCB manufacturing

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Issues 
-  Pitfall : Failure to meet setup/hold times due to clock skew and data valid windows
-  Solution : Implement precise clock tree synthesis with matched trace lengths (±10mil tolerance)

 Signal Integrity Challenges 
-  Pitfall : Signal degradation at 300MHz operation causing bit errors
-  Solution : Use controlled impedance routing (50Ω single-ended, 100Ω differential) with proper termination

 Power Distribution Problems 
-  Pitfall : Voltage droop during simultaneous switching output (SSO) events
-  Solution : Implement dedicated power planes with adequate decoupling (mix of 0.1μF, 0.01μF, and 1μF capacitors)

### Compatibility Issues

 Voltage Level Mismatch 
- Interface requires 1.5V HSTL/SSTL compatible controllers
-  Solution : Use level translators when connecting to 1.8V or 3.3V logic families

 Clock Domain Synchronization 
- Separate read and write clock domains require careful synchronization
-  Solution : Implement FIFOs or dual-clock synchronizers in the controller

 Controller Compatibility 
- Requires QDR-IV compatible memory controllers (not backward compatible with QDR-II/II+)
-  Solution : Verify controller IP supports QDR-IV protocol specifications

### PCB Layout Recommendations

 Power Delivery Network 
- Use dedicated power planes for VDD (1.5V) and VDDQ (1.5V)
- Place decoupling capacitors within 100mil of BGA balls
- Implement multiple vias for power connections to reduce inductance

 Signal

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