18-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture The CY7C13121KV18-300BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: 72-Mbit (2M x 36) Synchronous Pipelined SRAM  
- **Speed**: 300 MHz (3.3 ns clock-to-data access)  
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.5V (HSTL compatible)  
- **Organization**: 2,097,152 words × 36 bits  
- **Package**: 165-ball BGA (15mm × 17mm)  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined and flow-through operation  
  - Byte-wise write control  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - Burst and linear burst sequencing support  
  - Single-cycle deselect for power savings  

This device is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.