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CY7C1305BV25-167BZC from CY,Cypress

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CY7C1305BV25-167BZC

Manufacturer: CY

18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1305BV25-167BZC,CY7C1305BV25167BZC CY 156 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture The CY7C1305BV25-167BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Density**: 4 Mb (512K x 8)
- **Speed**: 167 MHz (6 ns access time)
- **Voltage**: 2.5V ±5% (VDD)
- **I/O Voltage**: 2.5V (VDDQ)
- **Organization**: 512K words × 8 bits
- **Package**: 165-ball FBGA (BZC)
- **Interface**: Synchronous pipeline with ZZ (sleep mode) and clock enable (CEN) features
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Cycle Time**: 6 ns (max)
- **Power Consumption**: Active (TBD mA), Standby (TBD mA) – exact values depend on mode and conditions
- **Features**: Burst mode support (linear/interleave), single clock operation, 3.3V-tolerant inputs

Note: For precise power consumption and timing diagrams, refer to the official datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture# CY7C1305BV25167BZC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1305BV25167BZC is a high-performance 18-Mbit (1M × 18) pipelined synchronous SRAM designed for applications requiring high-speed data processing and temporary storage. Typical use cases include:

-  Network Processing : Packet buffering in routers, switches, and network interface cards where rapid data access is critical
-  Telecommunications Equipment : Base station controllers and digital signal processing systems requiring low-latency memory access
-  Industrial Automation : Real-time control systems and data acquisition units where deterministic access times are essential
-  Medical Imaging : Ultrasound and MRI systems requiring high-bandwidth temporary image storage
-  Military/Aerospace : Radar systems and avionics where reliability and speed are paramount

### Industry Applications
 Data Communications : 
- Core and edge routers (Cisco, Juniper platforms)
- 100G/400G Ethernet switches
- Network processors and traffic managers

 Wireless Infrastructure :
- 4G/5G baseband units
- Remote radio heads
- Microwave backhaul equipment

 Enterprise Storage :
- RAID controllers
- SAN/NAS systems
- SSD controllers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  High Speed : 250MHz operating frequency with 3.6ns clock-to-output delay
-  Low Latency : Pipelined architecture enables single-cycle deselect for improved system performance
-  Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) with robust ESD protection
-  Power Efficiency : Automatic power-down feature reduces standby current to 35mA typical
-  Synchronization : Common I/O architecture simplifies timing closure

 Limitations :
-  Voltage Sensitivity : Requires precise 1.8V core voltage (±5%) and 1.5V/1.8V I/O voltage
-  Cost Consideration : Higher per-bit cost compared to DRAM alternatives
-  Density Constraints : Maximum 18Mbit density may require multiple devices for larger memory requirements
-  Complex Timing : Multiple clock cycles for initial read latency require careful system design

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Sequencing :
-  Pitfall : Improper VDD/VDDQ power-up sequencing can cause latch-up or device damage
-  Solution : Implement sequenced power supplies with VDD ramping before VDDQ, ensure voltage differential <0.3V during transitions

 Signal Integrity Issues :
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed address/data lines
-  Solution : Use series termination resistors (22-33Ω) close to driver, implement controlled impedance routing

 Clock Distribution :
-  Pitfall : Clock skew between multiple SRAM devices causing timing violations
-  Solution : Use balanced clock tree with matched trace lengths, consider zero-delay clock buffers

### Compatibility Issues

 Voltage Level Translation :
- The 1.5V/1.8V HSTL I/O requires proper level translation when interfacing with 3.3V LVCMOS devices
- Recommended translators: TXS0108E (bidirectional) or SN74AVC8T245 (directional)

 Controller Interface :
- Verify controller supports HSTL Class I/II signaling
- Ensure proper termination scheme (50Ω to VTT = VDDQ/2)
- Check read/write timing compatibility with controller's pipeline depth

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution :
- Use separate power planes for VDD (1.8V) and VDDQ (1.5V/1.8V)
- Implement 0.1μF decoupling capacitors within

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1305BV25-167BZC,CY7C1305BV25167BZC CYPRESS 27 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture The CY7C1305BV25-167BZC is a high-performance 2.5V Synchronous Pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Density**: 4Mb (256K x 16)
- **Voltage Supply**: 2.5V ±5%
- **Speed**: 167 MHz (6 ns clock-to-data access)
- **Organization**: 256K words × 16 bits
- **Interface**: Synchronous pipeline with ZQ™ (Zero Delay) technology
- **I/O Type**: LVTTL-compatible
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)
- **Features**: 
  - Burst mode operation (linear or interleaved)
  - On-chip address and data pipeline registers
  - Byte write control (BW# pins)
  - Single clock (CLK) operation
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - Sleep mode for reduced power consumption
  - Cycle latency: 2 (pipelined mode)

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other applications requiring fast data access.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture# CY7C1305BV25167BZC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1305BV25167BZC is a high-performance 16-Mbit (1M × 16) pipelined synchronous SRAM designed for applications requiring high-speed data access and processing. Typical use cases include:

-  Network Processing : Packet buffering and header processing in routers, switches, and network interface cards
-  Telecommunications Equipment : Base station controllers and digital signal processing systems
-  High-Performance Computing : Cache memory subsystems and data buffer applications
-  Medical Imaging : Real-time image processing and data acquisition systems
-  Industrial Automation : High-speed data logging and control systems

### Industry Applications
-  Networking Infrastructure : Core and edge routers, Ethernet switches, wireless access points
-  Telecommunications : 5G infrastructure, optical transport networks, microwave systems
-  Aerospace and Defense : Radar systems, avionics, military communications
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS), infotainment systems
-  Test and Measurement : High-speed data acquisition systems, oscilloscopes, spectrum analyzers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 250MHz clock frequency with 3.3V operation
-  Low Latency : Pipelined architecture enables high throughput
-  Reliable Performance : Industrial temperature range (-40°C to +85°C)
-  Easy Integration : Standard SRAM interface with synchronous operation
-  Low Power Consumption : Advanced CMOS technology with power-down features

 Limitations: 
-  Voltage Sensitivity : Requires precise 3.3V power supply regulation
-  Cost Consideration : Higher cost compared to asynchronous SRAMs
-  Complex Timing : Requires careful attention to clock and control signal timing
-  Board Space : 165-ball FBGA package requires sophisticated PCB design

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Issues: 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing signal integrity problems
-  Solution : Implement multi-stage decoupling with 0.1μF and 10μF capacitors placed close to power pins

 Clock Distribution: 
-  Pitfall : Clock skew affecting synchronous operation
-  Solution : Use matched-length traces for clock signals and implement proper termination

 Signal Integrity: 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed signals
-  Solution : Implement series termination resistors (typically 22-33Ω) on address and control lines

### Compatibility Issues with Other Components

 Microprocessor/Microcontroller Interface: 
- Ensure compatible I/O voltage levels (3.3V LVCMOS)
- Verify timing compatibility with host processor's memory controller
- Check drive strength matching for signal integrity

 FPGA/ASIC Integration: 
- Synchronize clock domains between memory and logic device
- Implement proper input/output delay constraints in timing analysis
- Consider using dedicated memory controller IP cores

 Power Management: 
- Coordinate power-up/down sequences with other system components
- Ensure proper reset synchronization across the system

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution: 
- Use dedicated power planes for VDD and VSS
- Implement multiple vias for power connections to reduce inductance
- Place decoupling capacitors within 100 mils of power pins

 Signal Routing: 
- Route address, data, and control signals as matched-length groups
- Maintain 50Ω characteristic impedance for transmission lines
- Keep critical signals away from noise sources (clocks, switching regulators)

 Thermal Management: 
- Provide adequate copper area for heat dissipation
- Consider thermal vias under the package for improved cooling
- Ensure proper airflow in the system enclosure

 Package Specific (165

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