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CY7C1305AV25-167BZC from CY,Cypress

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CY7C1305AV25-167BZC

Manufacturer: CY

18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QD(TM) Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1305AV25-167BZC,CY7C1305AV25167BZC CY 43 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QD(TM) Architecture The CY7C1305AV25-167BZC is a high-performance SRAM device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 4 Mbit (256K x 18)  
3. **Speed**: 167 MHz (6 ns access time)  
4. **Voltage Supply**: 2.5V (VDD)  
5. **I/O Voltage**: 2.5V (VDDQ)  
6. **Organization**: 256K words × 18 bits  
7. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
8. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
9. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
10. **Features**:  
   - Pipelined operation for high-speed performance  
   - Single-cycle deselect for reduced power consumption  
   - Byte write control for selective writes  
   - JTAG boundary scan support  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QD(TM) Architecture# CY7C1305AV25167BZC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1305AV25167BZC is a high-performance 36-Mbit QDR®-IV SRAM organized as 1M × 36, designed for applications requiring high-bandwidth memory operations. Typical use cases include:

-  Network Processing : Packet buffering in routers, switches, and network interface cards requiring sustained high-throughput data transfer
-  Telecommunications Infrastructure : Base station controllers and signal processing units handling multiple data streams simultaneously
-  Medical Imaging Systems : Real-time image processing and temporary storage in CT scanners and MRI systems
-  Test and Measurement Equipment : High-speed data acquisition systems requiring low-latency memory access
-  Military/Aerospace Systems : Radar signal processing and avionics systems demanding reliable performance in harsh environments

### Industry Applications
-  Data Centers : Cache memory in network switches and storage controllers
-  Wireless Infrastructure : 5G baseband units and massive MIMO systems
-  Industrial Automation : Real-time control systems and robotics
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS) and autonomous vehicle processing

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : Supports up to 1333 MHz operation with separate read/write ports
-  Low Latency : Deterministic access times with pipelined and flow-through architectures
-  Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) operation
-  Power Efficiency : HSTL I/O interface with programmable impedance matching

 Limitations: 
-  Complex Interface : Requires careful timing analysis and signal integrity management
-  Power Consumption : Higher than comparable DDR memories in some applications
-  Cost : Premium pricing compared to standard SRAM solutions
-  Board Space : 165-ball BGA package requires sophisticated PCB design

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Signal Integrity Issues 
-  Problem : Ringing and overshoot on high-speed signals
-  Solution : Implement proper termination schemes (series and parallel) and controlled impedance routing

 Pitfall 2: Power Distribution Network (PDN) Insufficiency 
-  Problem : Voltage droop during simultaneous switching outputs (SSO)
-  Solution : Use dedicated power planes, multiple decoupling capacitors (0.1μF, 0.01μF, and 1μF values), and low-ESR capacitors near power pins

 Pitfall 3: Clock Distribution Problems 
-  Problem : Clock skew affecting setup/hold times
-  Solution : Implement matched-length routing for clock pairs and use dedicated clock distribution ICs

### Compatibility Issues with Other Components

 Controller Interface: 
- Requires QDR-IV compatible memory controllers (e.g., FPGA with hardened memory controllers)
- HSTL I/O levels (1.5V) may require level translation when interfacing with 3.3V or 1.8V systems

 Power Supply Sequencing: 
- Core voltage (VDD) and I/O voltage (VDDQ) must follow specific power-up sequences
- Violation can cause latch-up conditions or permanent damage

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution: 
- Use separate power planes for VDD (1.5V) and VDDQ (1.5V)
- Place decoupling capacitors within 100 mils of power pins
- Implement multiple vias for power connections to reduce inductance

 Signal Routing: 
- Route address/control signals as matched-length groups (±10 mil tolerance)
- Maintain 50Ω single-ended and 100Ω differential impedance
- Keep critical signals (clocks, address) away from noisy sources

 Thermal Management: 
- Provide adequate thermal vias

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