18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QD(TM) Architecture The CY7C1305AV25-167BZC is a high-performance SRAM device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 4 Mbit (256K x 18)  
3. **Speed**: 167 MHz (6 ns access time)  
4. **Voltage Supply**: 2.5V (VDD)  
5. **I/O Voltage**: 2.5V (VDDQ)  
6. **Organization**: 256K words × 18 bits  
7. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
8. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
9. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
10. **Features**:  
   - Pipelined operation for high-speed performance  
   - Single-cycle deselect for reduced power consumption  
   - Byte write control for selective writes  
   - JTAG boundary scan support  

This information is based on the manufacturer's datasheet.