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CY7C1303BV25-167BZC from CY,Cypress

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CY7C1303BV25-167BZC

Manufacturer: CY

18-Mbit Burst of Two-Pipelined SRAM with QDR?Architecture

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1303BV25-167BZC,CY7C1303BV25167BZC CY 250 In Stock

Description and Introduction

18-Mbit Burst of Two-Pipelined SRAM with QDR?Architecture The CY7C1303BV25-167BZC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Density**: 4Mb (512K x 8)
- **Speed**: 167 MHz (6 ns access time)
- **Voltage**: 2.5V ±5% (VDD)
- **I/O Voltage**: 2.5V (VDDQ)
- **Organization**: 512K words × 8 bits
- **Package**: 165-ball FBGA (BZC)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)
- **Interface**: Synchronous (pipelined)
- **Features**: 
  - Single clock (CLK) operation
  - Byte write control
  - ZZ (sleep mode) power-down feature
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - 3.3V I/O tolerant (with 2.5V VDDQ)
  - Burst mode support (linear or interleaved)

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and low power consumption.

Application Scenarios & Design Considerations

18-Mbit Burst of Two-Pipelined SRAM with QDR?Architecture# CY7C1303BV25167BZC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1303BV25167BZC is a high-performance 18-Mbit (1M × 18) pipelined synchronous SRAM designed for applications requiring high-speed data access and processing. Typical use cases include:

-  Network Processing : Packet buffering and header processing in routers, switches, and network interface cards
-  Telecommunications Equipment : Base station controllers and digital signal processing systems
-  High-Performance Computing : Cache memory for processors and accelerators
-  Industrial Automation : Real-time data acquisition systems and motion controllers
-  Medical Imaging : Ultrasound and MRI systems requiring rapid image data storage

### Industry Applications
-  Data Communications : 10G/40G/100G Ethernet equipment, wireless infrastructure
-  Enterprise Storage : RAID controllers, storage area network (SAN) systems
-  Aerospace and Defense : Radar systems, avionics, military communications
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS), infotainment systems
-  Test and Measurement : High-speed data acquisition equipment, oscilloscopes

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 250 MHz clock frequency with 3.6 ns clock-to-data access time
-  Pipelined Architecture : Enables sustained high-throughput data transfers
-  Low Power Consumption : 1.8V core voltage with automatic power-down features
-  Synchronous Operation : Simplified timing control compared to asynchronous SRAMs
-  Industrial Temperature Range : -40°C to +85°C operation

 Limitations: 
-  Higher Cost : More expensive than standard asynchronous SRAM or DRAM
-  Complex Timing : Requires precise clock and control signal management
-  Power Sequencing : Needs careful power-up/power-down sequencing
-  Limited Density : Maximum 18-Mbit capacity may be insufficient for some applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Clock Signal Integrity 
-  Issue : Jitter and skew in clock distribution affecting timing margins
-  Solution : Use low-jitter clock sources, matched-length routing, and proper termination

 Pitfall 2: Power Supply Noise 
-  Issue : Voltage fluctuations causing data corruption
-  Solution : Implement dedicated power planes, adequate decoupling capacitors (0.1 μF and 0.01 μF combinations)

 Pitfall 3: Signal Integrity at High Frequencies 
-  Issue : Signal reflections and crosstalk at 250 MHz operation
-  Solution : Implement controlled impedance routing, proper termination schemes

### Compatibility Issues with Other Components

 Processor Interface: 
- Compatible with various processors through synchronous burst interfaces
- May require level translation when interfacing with 3.3V I/O systems
- Timing compatibility must be verified with target controller specifications

 Voltage Level Compatibility: 
- Core voltage: 1.8V ±0.1V
- I/O voltage: 1.8V or 2.5V (selectable)
- Requires separate power supplies for core and I/O operations

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution: 
- Use separate power planes for VDD (core) and VDDQ (I/O)
- Place decoupling capacitors close to power pins (within 5mm)
- Implement multiple vias for power connections to reduce inductance

 Signal Routing: 
- Route address, data, and control signals as matched-length groups
- Maintain 50Ω single-ended impedance for critical signals
- Keep clock signals isolated from other high-speed signals
- Use ground planes beneath all high-speed traces

 Thermal Management: 
- Provide adequate copper area for heat dissipation
- Consider

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