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CY7C128A-45DMB from CYP,Cypress

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CY7C128A-45DMB

Manufacturer: CYP

2K x 8 Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C128A-45DMB,CY7C128A45DMB CYP 1 In Stock

Description and Introduction

2K x 8 Static RAM The CY7C128A-45DMB is a high-speed CMOS Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Organization**: 16K x 8 (131,072 bits)  
- **Access Time**: 45 ns  
- **Operating Voltage**: 5V ±10%  
- **Operating Current**: 70 mA (typical)  
- **Standby Current**: 10 mA (typical)  
- **Package**: 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Technology**: High-speed CMOS  
- **Tri-State Outputs**: Yes  
- **Data Retention Voltage**: 2V (minimum)  

The device is designed for high-performance applications requiring fast access times and low power consumption.

Application Scenarios & Design Considerations

2K x 8 Static RAM# CY7C128A45DMB Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C128A45DMB 128Mb (16M × 8) Pseudo Static RAM serves as a high-performance memory solution in systems requiring fast access times and non-volatile data retention capabilities. Typical applications include:

-  Data Buffering Systems : Functions as intermediate storage in communication interfaces, network equipment, and data acquisition systems where rapid data transfer between different speed domains is required
-  Cache Memory Applications : Provides secondary cache in embedded systems, industrial controllers, and computing platforms requiring low-latency memory access
-  Real-time Data Processing : Supports applications in medical imaging, radar systems, and industrial automation where continuous data streams require temporary storage with fast read/write cycles
-  Backup Power Systems : Maintains data integrity during power interruptions when paired with battery backup solutions

### Industry Applications
-  Telecommunications : Base station equipment, network switches, and routers utilize the component for packet buffering and configuration storage
-  Industrial Automation : PLCs, CNC machines, and robotic controllers employ the memory for program storage and real-time data logging
-  Medical Equipment : Patient monitoring systems, diagnostic imaging devices, and laboratory instruments benefit from the fast access times and data retention
-  Automotive Systems : Advanced driver assistance systems (ADAS) and infotainment systems use the memory for temporary data storage and processing
-  Aerospace and Defense : Avionics systems, radar processing units, and military communications equipment leverage the radiation-tolerant characteristics and reliability

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Fast Access Times : 45ns maximum access time enables high-speed operations
-  Low Power Consumption : Operating current of 90mA (typical) and standby current of 30mA (typical)
-  Non-Volatile Option : Data retention capability with battery backup support
-  High Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) operation
-  Easy Integration : Standard SRAM interface simplifies system design

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires continuous power or battery backup for data retention
-  Density Limitations : 128Mb density may be insufficient for applications requiring larger memory footprints
-  Cost Considerations : Higher cost per bit compared to DRAM alternatives
-  Refresh Requirements : While pseudo-static, may require minimal refresh in certain operating conditions

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling leading to signal integrity issues and data corruption
-  Solution : Implement 0.1μF ceramic capacitors placed within 5mm of each power pin, with bulk capacitance (10-100μF) near the device

 Signal Integrity Management 
-  Pitfall : Long, unmatched trace lengths causing timing violations and signal reflections
-  Solution : Maintain controlled impedance traces (50-60Ω), match trace lengths for address and data buses, and use series termination resistors where necessary

 Power Sequencing 
-  Pitfall : Improper power-up/power-down sequences causing latch-up or data corruption
-  Solution : Implement proper power sequencing controls ensuring VDD reaches stable level before chip enable activation

### Compatibility Issues with Other Components

 Microprocessor/Microcontroller Interfaces 
-  Issue : Timing mismatches with modern high-speed processors
-  Resolution : Use wait-state generation or clock synchronization circuits to match timing requirements

 Mixed Voltage Systems 
-  Issue : Interface with 3.3V or lower voltage components
-  Resolution : Implement level shifters or select compatible versions with appropriate I/O voltage levels

 Bus Contention 
-  Issue : Multiple devices driving the same bus lines
-  Resolution : Proper bus arbitration logic and tri-state control implementation

### PCB Layout Recommendations

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C128A-45DMB,CY7C128A45DMB CY 400 In Stock

Description and Introduction

2K x 8 Static RAM The CY7C128A-45DMB is a high-speed CMOS Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Organization**: 128K x 8 (1 Megabit)  
- **Speed**: 45 ns access time  
- **Voltage Supply**: 5V ±10%  
- **Operating Current**: 70 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 mA (typical)  
- **Package**: 32-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Technology**: High-performance CMOS  
- **Tri-State Outputs**: Yes  
- **Data Retention**: Guaranteed with 2V supply  

This SRAM is designed for applications requiring high-speed, low-power memory.

Application Scenarios & Design Considerations

2K x 8 Static RAM# CY7C128A45DMB 18Mb Pipelined DCD-SRAM Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C128A45DMB serves as a high-performance synchronous pipelined SRAM solution for demanding memory applications requiring sustained bandwidth and low latency access patterns.

 Primary Applications: 
-  Network Processing Systems : Line card buffers, packet processing engines, and switching fabric interfaces requiring 333MHz operation with 2-cycle read latency
-  Telecommunications Infrastructure : Base station controllers, media gateways, and signal processing units where deterministic access timing is critical
-  Industrial Automation : Real-time control systems, robotics controllers, and machine vision processing requiring reliable high-speed data buffering
-  Medical Imaging : Ultrasound, MRI, and CT scan processing systems demanding high bandwidth for image reconstruction algorithms
-  Military/Aerospace : Radar signal processing, electronic warfare systems, and avionics where radiation-tolerant performance is essential

### Industry Applications

 Networking & Communications: 
-  Core Routers : Backplane interfaces and lookup table storage
-  Wireless Infrastructure : 4G/5G baseband processing and beamforming computation
-  Optical Transport : SONET/SDH framers and OTN mapping processors

 Industrial & Automotive: 
-  Automated Test Equipment : High-speed data acquisition and pattern generation
-  Motor Control : High-performance servo drives and motion controllers
-  Automotive ADAS : Sensor fusion processing and real-time decision systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : 333MHz operation delivers 5.328GB/s bandwidth in x16 configuration
-  Deterministic Latency : Pipelined architecture ensures predictable 2-1-1-1 burst timing
-  Low Power : 1.8V core voltage with automatic power-down modes
-  Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) with high MTBF
-  Ease of Integration : Standard HSTL I/O interface simplifies system design

 Limitations: 
-  Higher Cost : More expensive than DDR SDRAM alternatives per bit
-  Power Consumption : Higher static power compared to low-power DDR
-  Density Limitations : Maximum 18Mb density may require multiple devices for larger memory pools
-  Interface Complexity : Requires careful timing closure for HSTL signaling

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Distribution Issues: 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droop during simultaneous switching
-  Solution : Implement distributed decoupling with 0.1μF, 0.01μF, and 1μF capacitors placed within 100 mils of power pins

 Signal Integrity Challenges: 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on HSTL signals due to improper termination
-  Solution : Use series termination resistors (10-50Ω) close to driver outputs with controlled impedance routing (50Ω single-ended)

 Timing Closure Problems: 
-  Pitfall : Setup/hold time violations at maximum frequency operation
-  Solution : Implement source-synchronous clock forwarding with careful clock tree balancing (±25ps skew)

### Compatibility Issues

 Voltage Level Mismatch: 
-  Issue : 1.8V HSTL I/O incompatible with 3.3V LVTTL systems
-  Resolution : Use level translators or select compatible processors with native HSTL support

 Clock Domain Crossing: 
-  Issue : Metastability when interfacing with asynchronous clock domains
-  Resolution : Implement dual-port synchronizers or use FIFO buffers for clock domain isolation

 Memory Controller Compatibility: 
-  Issue : Some processors lack native pipelined SRAM controller support
-  Resolution

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