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CY7C128A-35DMB from CY,Cypress

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CY7C128A-35DMB

Manufacturer: CY

2K x 8 Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C128A-35DMB,CY7C128A35DMB CY 10 In Stock

Description and Introduction

2K x 8 Static RAM The CY7C128A-35DMB is a 128K x 8 high-speed CMOS static RAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Organization**: 128K x 8 (1 Megabit)  
- **Technology**: High-speed CMOS  
- **Access Time**: 35 ns  
- **Operating Voltage**: 5V ±10%  
- **Operating Current**: 70 mA (typical)  
- **Standby Current**: 10 mA (typical)  
- **Package**: 28-pin SOIC (DMB)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **I/O Type**: TTL-compatible  
- **Control Pins**: Chip Enable (CE), Output Enable (OE), Write Enable (WE)  
- **Data Retention**: 10 years minimum  
- **Power-Down Feature**: Supports battery backup operation  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast access times and low power consumption.

Application Scenarios & Design Considerations

2K x 8 Static RAM# CY7C128A35DMB 128Mb Synchronous SRAM Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C128A35DMB is a 128Mb (8M × 16) synchronous SRAM designed for high-performance applications requiring fast data access and low latency. Typical use cases include:

-  Network Processing : Packet buffering in routers, switches, and network interface cards where rapid data storage and retrieval are critical
-  Cache Memory : Secondary cache in embedded systems, telecommunications equipment, and industrial controllers
-  Data Buffering : Temporary storage in digital signal processors (DSPs), image processing systems, and video processing applications
-  Real-time Systems : Applications requiring deterministic access times, such as aerospace, defense, and medical equipment

### Industry Applications
-  Telecommunications : Base stations, network switches, and communication infrastructure
-  Industrial Automation : Programmable logic controllers (PLCs), motor controllers, and robotics
-  Medical Equipment : Diagnostic imaging systems, patient monitoring devices, and surgical equipment
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS), infotainment systems, and telematics
-  Aerospace and Defense : Radar systems, avionics, and military communications equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 250MHz clock frequency with 3.0ns access time
-  Low Latency : Pipelined and flow-through architectures available
-  Synchronous Operation : All inputs registered on rising clock edge
-  Low Power Consumption : Active current of 390mA (max), standby current of 20mA
-  Wide Temperature Range : Industrial grade (-40°C to +85°C) operation

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires continuous power to maintain data
-  Higher Cost per Bit : Compared to DRAM alternatives
-  Power Consumption : Higher than low-power DRAM in some applications
-  Density Limitations : Maximum 128Mb density may require multiple devices for larger memory requirements

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling: 
-  Pitfall : Insufficient decoupling causing voltage droops and signal integrity issues
-  Solution : Implement multiple 0.1μF ceramic capacitors near power pins, plus bulk capacitance (10-100μF) for the power plane

 Clock Distribution: 
-  Pitfall : Poor clock signal quality leading to timing violations
-  Solution : Use controlled impedance traces, minimize clock skew, and consider clock tree synthesis

 Signal Integrity: 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed signals
-  Solution : Implement proper termination (series or parallel) and maintain controlled impedance

### Compatibility Issues with Other Components

 Voltage Level Compatibility: 
- The 3.3V LVCMOS interface may require level shifting when interfacing with 1.8V or 2.5V devices
- Ensure proper voltage translation for mixed-voltage systems

 Timing Constraints: 
- Synchronous operation requires careful clock domain crossing when interfacing with asynchronous components
- Consider using FIFOs or dual-port RAMs for clock domain isolation

 Load Considerations: 
- Maximum of 10 devices on a single bus without buffer chips
- For larger arrays, use registered buffers to maintain signal integrity

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution: 
- Use dedicated power and ground planes for VDD and VSS
- Implement star-point grounding for analog and digital sections
- Place decoupling capacitors as close as possible to power pins

 Signal Routing: 
- Route address, data, and control signals as matched-length groups
- Maintain 50Ω characteristic impedance for single-ended signals
- Keep clock signals isolated from other high-speed traces

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C128A-35DMB,CY7C128A35DMB 862 In Stock

Description and Introduction

2K x 8 Static RAM The CY7C128A-35DMB is a high-performance CMOS static RAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Organization**: 16K x 8 (131,072 bits)
- **Access Time**: 35 ns
- **Operating Voltage**: 5V ±10%
- **Operating Current**: 40 mA (typical)
- **Standby Current**: 10 µA (typical)
- **Package**: 28-pin DIP (Dual In-line Package)
- **Operating Temperature Range**: 0°C to 70°C
- **Tri-State Outputs**
- **Fully Static Operation**: No clock or refresh required
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs**
- **Industrial Standard Pinout**

Application Scenarios & Design Considerations

2K x 8 Static RAM# CY7C128A35DMB Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The  CY7C128A35DMB  is a high-performance 128-Mbit (16-MB) CMOS static RAM organized as 8,388,608 words × 16 bits, operating at 3.3V with a 35ns access time. This component finds extensive application in scenarios requiring:

-  High-Speed Data Buffering : Ideal for temporary storage in data acquisition systems, network routers, and communication equipment where rapid data transfer is critical
-  Cache Memory Applications : Serves as secondary cache in embedded systems, industrial controllers, and telecommunications infrastructure
-  Real-Time Processing Systems : Used in medical imaging equipment, radar systems, and automotive ADAS where deterministic access times are essential
-  Temporary Storage in FPGA/ASIC Designs : Provides external memory expansion for complex programmable logic devices

### Industry Applications
-  Telecommunications : Base station equipment, network switches, and routing hardware
-  Industrial Automation : PLCs, motor controllers, and robotics control systems
-  Medical Equipment : Ultrasound machines, CT scanners, and patient monitoring systems
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS), infotainment systems
-  Aerospace and Defense : Avionics, radar systems, military communications equipment

### Practical Advantages and Limitations

#### Advantages:
-  High-Speed Operation : 35ns access time enables rapid data retrieval
-  Low Power Consumption : CMOS technology provides efficient power management
-  Wide Temperature Range : Commercial (0°C to +70°C) and industrial (-40°C to +85°C) variants available
-  Non-Volatile Data Retention : Battery backup capability for critical applications
-  Simple Interface : Direct memory access without refresh requirements

#### Limitations:
-  Higher Cost per Bit : Compared to dynamic RAM alternatives
-  Larger Physical Footprint : Due to 6-transistor cell architecture
-  Power Consumption : Higher than DRAM in active mode for equivalent density
-  Density Constraints : Maximum density limited compared to modern DRAM technologies

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

#### Power Supply Decoupling
 Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
 Solution : 
- Implement 0.1μF ceramic capacitors at each VDD pin
- Place bulk capacitors (10-100μF) near power entry points
- Use multiple vias for power and ground connections

#### Signal Integrity Issues
 Pitfall : Signal reflections and crosstalk affecting timing margins
 Solution :
- Implement proper termination for address and control lines
- Maintain consistent impedance throughout transmission lines
- Use series termination resistors (22-33Ω) for long traces

#### Timing Violations
 Pitfall : Setup and hold time violations due to clock skew
 Solution :
- Implement matched length routing for critical signals
- Use clock distribution trees with balanced loads
- Perform thorough timing analysis across process corners

### Compatibility Issues with Other Components

#### Voltage Level Compatibility
-  3.3V Operation : Ensure compatible I/O levels with connected processors or FPGAs
-  Mixed Voltage Systems : Requires level shifters when interfacing with 5V or 1.8V components
-  Power Sequencing : Implement proper power-up/down sequences to prevent latch-up

#### Interface Timing
-  Synchronous Systems : May require additional pipeline stages when interfacing with slower components
-  Asynchronous Systems : Ensure proper handshake protocols for reliable data transfer
-  Bus Contention : Implement tri-state control to prevent multiple drivers on shared buses

### PCB Layout Recommendations

#### Power Distribution
```markdown
- Use dedicated power planes for VDD and VSS
- Implement star-point

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C128A-35DMB,CY7C128A35DMB CYPRESS 1000 In Stock

Description and Introduction

2K x 8 Static RAM The CY7C128A-35DMB is a high-performance CMOS static RAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Organization**: 16K x 8 (131,072 bits)  
- **Operating Voltage**: 5V ±10%  
- **Access Time**: 35 ns  
- **Power Consumption**:  
  - Active: 275 mW (typical)  
  - Standby: 27.5 mW (typical)  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  
- **Package**: 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **I/O Interface**: TTL-compatible  
- **Data Retention**: >10 years at 85°C  
- **Features**:  
  - Fully static operation  
  - No clock or refresh required  
  - Three-state outputs  
  - Directly replaces industry-standard 16K x 8 SRAMs  

This device is designed for applications requiring high-speed, low-power static RAM.

Application Scenarios & Design Considerations

2K x 8 Static RAM# CY7C128A35DMB Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C128A35DMB 128K x 36 Synchronous SRAM is primarily employed in applications requiring high-speed data buffering and temporary storage. Key use cases include:

-  Network Processing Systems : Packet buffering in routers, switches, and network interface cards where rapid data access is critical
-  Telecommunications Equipment : Base station controllers and signal processing units requiring low-latency memory access
-  Medical Imaging Systems : Real-time image processing and temporary storage in ultrasound, CT, and MRI equipment
-  Industrial Automation : High-speed data acquisition systems and real-time control applications
-  Military/Aerospace : Radar systems, avionics, and mission computers where reliability and speed are paramount

### Industry Applications
-  Data Communications : Network processors, line cards, and switching fabric implementations
-  Computer Systems : Cache memory subsystems and high-performance computing applications
-  Embedded Systems : Real-time processing units in automotive infotainment and industrial controllers
-  Test and Measurement : High-speed data capture and analysis equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 250MHz clock frequency with 3.0ns access time
-  Large Data Bus : 36-bit organization supports error correction codes (ECC)
-  Low Power Consumption : 495mW (operating), 165mW (standby) typical power dissipation
-  Pipeline Architecture : Enables sustained high-throughput data transfers
-  Industrial Temperature Range : -40°C to +85°C operation

 Limitations: 
-  Voltage Sensitivity : Requires precise 3.3V power supply regulation (±5%)
-  Cost Consideration : Higher per-bit cost compared to DRAM alternatives
-  Density Limitations : Maximum 4.5Mb density may be insufficient for large buffer applications
-  Refresh Not Required : Unlike DRAM, but higher static power consumption

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling: 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing signal integrity issues and false writes
-  Solution : Implement multiple 0.1μF ceramic capacitors near power pins, plus bulk capacitance (10-100μF) for the entire power plane

 Clock Distribution: 
-  Pitfall : Clock skew affecting synchronous operation
-  Solution : Use matched-length routing for clock signals and implement proper termination

 Signal Integrity: 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed address/data lines
-  Solution : Implement series termination resistors (22-33Ω) and controlled impedance routing

### Compatibility Issues

 Voltage Level Compatibility: 
-  3.3V TTL I/O : Compatible with other 3.3V devices but requires level shifting for 5V or 1.8V systems
-  Mixed Signal Systems : May require buffer ICs when interfacing with different logic families

 Timing Constraints: 
-  Setup/Hold Times : Critical for reliable operation with various processors and FPGAs
-  Clock Domain Crossing : Requires careful synchronization when interfacing with different clock domains

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution: 
- Use dedicated power planes for VDD and VSS
- Implement star-point grounding for analog and digital sections
- Place decoupling capacitors within 0.5cm of each power pin

 Signal Routing: 
-  Address/Data Buses : Route as matched-length groups with 50Ω characteristic impedance
-  Control Signals : Keep traces short and direct, away from noisy components
-  Clock Lines : Route differentially if possible, with minimal vias and corners

 Thermal Management: 
- Provide adequate copper pour for heat

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