36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1270KV18-400BZXI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 72-Mbit (4M x 18)  
3. **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock-to-data access)  
4. **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
5. **I/O Voltage**: 1.8V (HSTL compatible)  
6. **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
7. **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
8. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
9. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
10. **Features**:  
   - Pipelined operation for high-speed applications  
   - Single-cycle deselect for easy depth expansion  
   - Burst mode support (linear/interleave)  
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
   - ZZ sleep mode for power reduction  

This SRAM is designed for networking, telecommunications, and high-performance computing applications.