36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1270KV18-400BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 72-Mbit (4M x 18)  
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock cycle)  
- **Voltage**: 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (HSTL compatible)  
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - HSTL (High-Speed Transceiver Logic) interface  
  - Byte Write capability  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - Single-cycle deselect  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet for CY7C1270KV18 series.)