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CY7C1270KV18-400BZXC from CY,Cypress

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CY7C1270KV18-400BZXC

Manufacturer: CY

36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1270KV18-400BZXC,CY7C1270KV18400BZXC CY 6 In Stock

Description and Introduction

36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1270KV18-400BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 72-Mbit (4M x 18)  
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock cycle)  
- **Voltage**: 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (HSTL compatible)  
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - HSTL (High-Speed Transceiver Logic) interface  
  - Byte Write capability  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - Single-cycle deselect  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet for CY7C1270KV18 series.)

Application Scenarios & Design Considerations

36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)# CY7C1270KV18400BZXC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1270KV18400BZXC is a high-performance 72-Mbit QDR-IV SRAM organized as 4M × 18 bits, designed for applications requiring high-bandwidth memory operations. Typical use cases include:

-  Network Processing : High-speed packet buffering in routers, switches, and network interface cards
-  Telecommunications Infrastructure : Base station controllers and signal processing units
-  Medical Imaging : Real-time image processing in MRI, CT scanners, and ultrasound systems
-  Military/Aerospace : Radar systems, avionics, and mission computers requiring reliable high-speed data access
-  Test and Measurement : High-speed data acquisition systems and oscilloscopes

### Industry Applications
-  Data Centers : Cache memory in storage controllers and server applications
-  Wireless Infrastructure : 4G/5G baseband units and digital front-end processing
-  Industrial Automation : Real-time control systems and robotics
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS) and autonomous vehicle processing

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : Supports up to 400 MHz operation with separate read/write ports
-  Low Latency : Deterministic access times with pipelined and flow-through operating modes
-  Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) operation
-  Power Efficiency : Advanced power management features including partial array refresh

 Limitations: 
-  Complex Interface : Requires careful timing analysis due to QDR architecture
-  Power Consumption : Higher than standard SRAMs during peak operation
-  Cost Premium : More expensive than conventional SRAM solutions
-  Board Complexity : Requires precise impedance matching and termination

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Issues 
-  Pitfall : Failure to meet setup/hold times due to clock skew
-  Solution : Implement matched-length routing for all clock and data signals
-  Pitfall : Insufficient timing margin for address/control signals
-  Solution : Use conservative timing analysis with worst-case process corners

 Signal Integrity Problems 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed signals
-  Solution : Implement proper series termination (typically 22-33Ω)
-  Pitfall : Crosstalk between adjacent signals
-  Solution : Maintain adequate spacing (≥2× trace width) between critical signals

### Compatibility Issues with Other Components

 Controller Interface 
- Requires QDR-IV compatible memory controllers
- May need level translation when interfacing with 1.8V logic families
- Clock domain crossing challenges when connecting to asynchronous systems

 Power Supply Sequencing 
- Critical power rails: VDD (1.5V), VDDQ (1.5V)
- Must follow specified power-up sequence to prevent latch-up
- Requires proper decoupling capacitor placement

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VDD and VDDQ
- Implement multiple vias for power connections to reduce inductance
- Place decoupling capacitors (0.1μF and 0.01μF) within 100 mils of power pins

 Signal Routing 
- Route address, control, and data buses as matched-length groups
- Maintain characteristic impedance of 50Ω single-ended, 100Ω differential
- Keep clock pairs tightly coupled with minimal length mismatch (<10 mils)

 Thermal Management 
- Provide adequate copper relief for thermal vias under the package
- Ensure proper airflow for heat dissipation in high-ambient environments
- Consider thermal interface materials for conduction cooling

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Operating Conditions 

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