36-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C12651KV18-450BZXC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 72-Mbit (4M x 18)  
- **Speed**: 450 MHz (2.2 ns clock cycle time)  
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed performance  
  - Single-cycle deselect for power savings  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - Byte write capability  
  - JTAG boundary scan support  

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.