36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C1250KV18-400BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: 18-Mbit (1M × 18) Synchronous Pipelined SRAM  
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock-to-data access)  
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (HSTL-compatible)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array), 13mm × 15mm  
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed applications  
  - Single-cycle deselect for reduced power  
  - Byte-wise write control  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - ZZ (sleep mode) for power savings  

This SRAM is designed for networking, telecommunications, and high-performance computing applications.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet)