36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C1250KV18-400BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Density**: 72-Mbit (organized as 4M x 18)
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock-to-data access)
- **Voltage Supply**: 1.8V (±5%)
- **I/O Voltage**: 1.8V (HSTL-compatible)
- **Architecture**: Synchronous pipelined with burst mode
- **Burst Length**: 2, 4, or 8 (linear or interleaved)
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm x 15mm)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Features**:  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - ZZ (sleep mode) power-saving feature  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and computing applications.