36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C12501KV18-400BZC is a high-performance SRAM device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: 2.5V/3.3V 1M x 18 Synchronous Burst SRAM  
- **Density**: 18 Mbit (1 Meg x 18)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock-to-data access)  
- **Voltage Supply**:  
  - Core: 2.5V ±5%  
  - I/O: 3.3V ±10%  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Interface**: Synchronous (pipelined or flow-through output options)  
- **Burst Modes**: Linear or Interleaved  
- **Features**:  
  - Single-cycle deselect  
  - Byte write control  
  - ZZ (sleep) mode for power saving  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.