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CY7C1248KV18-450BZXC from CY,Cypress

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CY7C1248KV18-450BZXC

Manufacturer: CY

36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1248KV18-450BZXC,CY7C1248KV18450BZXC CY 2 In Stock

Description and Introduction

36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C1248KV18-450BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 72-Mbit (4M x 18)  
- **Speed**: 450 MHz  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) ±5%  
- **I/O Voltage**: 1.5V (VDDQ) ±5%  
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
- **Access Time**: 2.2 ns (max)  
- **Cycle Time**: 2.2 ns (max)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - ZQ pin for output drive strength calibration  
  - On-Die Termination (ODT)  
  - Echo clocks for data capture  
  - Burst modes: Linear or Interleaved  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet)

Application Scenarios & Design Considerations

36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)# CY7C1248KV18450BZXC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1248KV18450BZXC is a high-performance 36-Mbit QDR®-IV SRAM organized as 2M × 18 bits, designed for applications requiring high-bandwidth memory operations. Typical use cases include:

-  Network Processing : Packet buffering in routers, switches, and network interface cards requiring sustained high-throughput data transfer
-  Medical Imaging : Real-time image processing in MRI, CT scanners, and ultrasound systems where rapid data access is critical
-  Military/Aerospace : Radar systems, avionics, and mission computers demanding reliable high-speed memory in extreme environments
-  Test & Measurement : High-speed data acquisition systems and oscilloscopes requiring rapid data storage and retrieval
-  Video Processing : Professional broadcast equipment and video servers handling multiple high-resolution streams

### Industry Applications
-  Telecommunications : 5G infrastructure, base stations, and core network equipment
-  Industrial Automation : Real-time control systems and robotics
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS) and autonomous vehicle computing
-  Data Centers : Cache memory in storage controllers and accelerator cards
-  Defense Systems : Signal intelligence and electronic warfare platforms

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : Supports up to 450 MHz clock frequency with 4-word burst architecture
-  Low Latency : Separate read/write ports eliminate bus contention
-  Reliability : Operating temperature range of -40°C to +105°C suitable for industrial applications
-  Power Efficiency : HSTL I/O interface with programmable impedance matching
-  Data Integrity : Built-in error detection capabilities

 Limitations: 
-  Complex Interface : Requires careful timing analysis and signal integrity management
-  Power Consumption : Higher than comparable DDR memories in some applications
-  Cost Premium : More expensive than standard SRAM solutions
-  Board Complexity : Demands sophisticated PCB design with controlled impedance routing

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Issues 
-  Pitfall : Failure to meet setup/hold times due to clock skew
-  Solution : Implement matched-length routing for clock and data signals, use dedicated clock trees

 Signal Integrity Problems 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on high-speed signals
-  Solution : Proper termination schemes (series or parallel), controlled impedance PCB stackup

 Power Distribution Network 
-  Pitfall : Voltage droop during simultaneous switching outputs
-  Solution : Use multiple power planes, adequate decoupling capacitors (0.1μF and 0.01μF combinations)

### Compatibility Issues

 Voltage Level Mismatch 
- The HSTL_18 interface requires careful matching with 1.8V FPGA/ASIC I/O banks
- Ensure compatible I/O standards between memory controller and QDR-IV device

 Clock Domain Crossing 
- Asynchronous operation between different clock domains requires proper synchronization circuits
- Implement FIFOs or dual-clock FIFOs when interfacing with different frequency domains

 Controller Compatibility 
- Verify FPGA/ASIC has dedicated QDR-IV memory controller IP
- Check for supported burst lengths and timing parameters

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use separate power planes for VDD (1.8V) and VDDQ (1.8V)
- Place decoupling capacitors close to power pins (within 100 mils)
- Implement multiple vias for power connections to reduce inductance

 Signal Routing 
- Route address/control signals as matched-length groups (±10 mil tolerance)
- Maintain 50Ω single-ended impedance for all signals
- Keep trace lengths under 3 inches for critical signals
- Use ground planes adjacent

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