36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C1248KV18-450BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 72-Mbit (4M x 18)  
- **Speed**: 450 MHz  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) ±5%  
- **I/O Voltage**: 1.5V (VDDQ) ±5%  
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
- **Access Time**: 2.2 ns (max)  
- **Cycle Time**: 2.2 ns (max)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - ZQ pin for output drive strength calibration  
  - On-Die Termination (ODT)  
  - Echo clocks for data capture  
  - Burst modes: Linear or Interleaved  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet)