36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C12481KV18-400BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 72-Mbit (4M x 18)  
- **Speed**: 400 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
- **Access Time**: 2.5 ns (max)  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Supports burst operations (linear/interleave)  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - ZZ (sleep) mode for power savings  
  - JTAG boundary scan support  
  - HSTL I/O interface  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.