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CY7C12481KV18-400BZC from CY,Cypress

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CY7C12481KV18-400BZC

Manufacturer: CY

36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C12481KV18-400BZC,CY7C12481KV18400BZC CY 60 In Stock

Description and Introduction

36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C12481KV18-400BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 72-Mbit (4M x 18)  
- **Speed**: 400 MHz  
- **Operating Voltage**: 1.8V (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
- **Access Time**: 2.5 ns (max)  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Supports burst operations (linear/interleave)  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - ZZ (sleep) mode for power savings  
  - JTAG boundary scan support  
  - HSTL I/O interface  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.

Application Scenarios & Design Considerations

36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) # Technical Documentation: CY7C12481KV18400BZC 72-Mbit QDR-IV SRAM

*Manufacturer: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C12481KV18400BZC is a 72-Mbit QDR-IV SRAM organized as 4M × 18 bits, designed for high-performance networking and computing applications requiring sustained bandwidth and low latency.

 Primary Use Cases: 
-  Network Packet Buffering : Ideal for storing incoming/outgoing packets in routers, switches, and network interface cards where deterministic access patterns are critical
-  Lookup Tables : Storage for routing tables, MAC address tables, and other network processing databases requiring rapid random access
-  Cache Memory : Secondary cache in high-performance computing systems, particularly in multi-processor architectures
-  Video Frame Buffering : Real-time video processing systems requiring high-bandwidth memory access for frame storage and processing

### Industry Applications
 Networking Infrastructure: 
- Core routers and enterprise switches (100G/400G Ethernet systems)
- 5G base stations and mobile backhaul equipment
- Network security appliances (firewalls, intrusion detection systems)

 Computing Systems: 
- High-performance servers and data center equipment
- Storage area network (SAN) controllers
- Military/aerospace radar and signal processing systems

 Industrial Applications: 
- Automated test equipment (ATE)
- Medical imaging systems (MRI, CT scanners)
- Industrial automation controllers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Bandwidth : 400 MHz clock frequency delivering 72 Gbps total bandwidth (36 Gbps read + 36 Gbps write)
-  Deterministic Latency : Fixed pipeline latency ensures predictable performance for real-time systems
-  Separate I/O Architecture : Independent read and write ports eliminate bus contention
-  Low Power : 1.2V VDD operation with typical 1.8W active power consumption
-  Error Detection : Built-in parity checking for enhanced system reliability

 Limitations: 
-  Higher Cost : Premium pricing compared to DDR SDRAM solutions
-  Complex Interface : Requires careful timing closure and signal integrity analysis
-  Limited Density Options : Fixed 72-Mbit density may not scale for all applications
-  Power Management : Lack of deep power-down modes limits ultra-low power applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Timing Closure Challenges: 
-  Pitfall : Failure to meet strict setup/hold times due to clock skew and signal propagation delays
-  Solution : Implement matched-length routing for all address/control signals and use programmable output impedance (QDR-IV ZQ calibration)

 Signal Integrity Issues: 
-  Pitfall : Signal degradation at 400 MHz operation causing bit errors
-  Solution : Use controlled impedance PCB (50-60Ω), implement proper termination schemes, and maintain continuous reference planes

 Power Distribution Problems: 
-  Pitfall : Voltage droop during simultaneous read/write operations affecting memory reliability
-  Solution : Implement dedicated power planes with adequate decoupling (recommend 0.1μF and 0.01μF capacitors per power pin)

### Compatibility Issues with Other Components

 Controller Interface: 
- Requires QDR-IV compatible memory controllers (typically ASICs or FPGAs)
- Not directly compatible with DDR3/DDR4 controllers without bridge logic
- Verify controller supports burst-of-2 mode and separate I/O operation

 Voltage Level Compatibility: 
- 1.2V core voltage (VDD) and 1.5V HSTL I/O (VDDQ)
- Requires level translation when interfacing with 3.3V or 1.8V systems
- Ensure proper power sequencing:

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