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CY7C1245KV18-400BZXC from CY,Cypress

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CY7C1245KV18-400BZXC

Manufacturer: CY

36-Mbit QDR?II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1245KV18-400BZXC,CY7C1245KV18400BZXC CY 2 In Stock

Description and Introduction

36-Mbit QDR?II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C1245KV18-400BZXC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Below are its key specifications:  

- **Memory Size**: 72 Mbit (4M x 18)  
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock-to-data access)  
- **Supply Voltage**: 1.7V to 1.9V (1.8V nominal)  
- **Interface**: Synchronous, pipelined with ZQ™ (impedance-controlled output)  
- **I/O Type**: LVCMOS (1.8V)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Features**:  
  - Burst modes: Linear, Interleaved  
  - On-chip address and data pipelining  
  - Byte write control  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - Sleep mode for reduced power consumption  

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.

Application Scenarios & Design Considerations

36-Mbit QDR?II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)# CY7C1245KV18400BZXC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1245KV18400BZXC serves as a high-performance  18Mb QDR-IV SRAM  component designed for demanding memory applications requiring sustained bandwidth and low latency. Primary use cases include:

-  Network Processing Units (NPUs)  - Packet buffering and lookup tables in 100G/400G Ethernet switches and routers
-  Medical Imaging Systems  - Real-time image processing and temporary storage in MRI/CT scanners
-  Military/Aerospace Systems  - Radar signal processing and mission-critical data storage
-  Test & Measurement Equipment  - High-speed data acquisition and temporary waveform storage

### Industry Applications
-  Telecommunications : Base station processing, network switching fabric
-  Data Centers : Cache memory for storage controllers, accelerator cards
-  Industrial Automation : Real-time control systems, robotics vision processing
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS), sensor fusion

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  High Bandwidth : 400MHz clock frequency with DDR interfaces delivers 72Gbps total bandwidth
-  Low Latency : Fixed pipeline latency of 2.5 cycles for read operations
-  Deterministic Timing : Separate read/write ports eliminate bus contention
-  Temperature Resilience : Industrial temperature range (-40°C to +105°C) operation

 Limitations: 
-  Power Consumption : Typical 1.8W active power requires careful thermal management
-  Cost Premium : Higher per-bit cost compared to DDR SDRAM alternatives
-  Interface Complexity : Requires precise timing closure for QDR-IV protocol
-  Board Space : 165-ball BGA package demands sophisticated PCB design

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Pitfall 1: Signal Integrity Degradation 
-  Issue : Ringing and overshoot on high-speed differential pairs
-  Solution : Implement proper termination (100Ω differential) and controlled impedance routing

 Pitfall 2: Timing Violation 
-  Issue : Setup/hold time failures due to clock skew
-  Solution : Use matched-length routing for all data/address/control signals relative to clock

 Pitfall 3: Power Integrity Problems 
-  Issue : Voltage droop during simultaneous switching outputs (SSO)
-  Solution : Implement dedicated power planes and adequate decoupling capacitance

### Compatibility Issues
 Voltage Level Compatibility: 
-  Core Voltage : 1.0V ±5% (VDD)
-  I/O Voltage : 1.2V ±5% (VDDQ)
-  HSTL Interface : Requires compatible HSTL I/O on controller side

 Controller Requirements: 
- Must support QDR-IV protocol with burst length of 2
- Requires separate read/write data paths
- Needs precise clock domain crossing implementation

### PCB Layout Recommendations
 Power Distribution: 
- Use dedicated power planes for VDD and VDDQ
- Place 0.1μF decoupling capacitors within 100 mils of each power ball
- Implement 10μF bulk capacitors near package periphery

 Signal Routing: 
- Route differential clock pairs with ±5 mil length matching
- Maintain 50Ω single-ended / 100Ω differential impedance
- Keep address/control signals within ±25 mil of clock length
- Separate read and write data buses to minimize crosstalk

 Thermal Management: 
- Use thermal vias in BGA footprint for heat dissipation
- Consider 2oz copper weight for power planes
- Allow adequate airflow in system design

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations
 Density & Organization: 
-  Total Density : 18M

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