36-Mbit QDR?II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C1245KV18-400BZXC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Below are its key specifications:  

- **Memory Size**: 72 Mbit (4M x 18)  
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock-to-data access)  
- **Supply Voltage**: 1.7V to 1.9V (1.8V nominal)  
- **Interface**: Synchronous, pipelined with ZQ™ (impedance-controlled output)  
- **I/O Type**: LVCMOS (1.8V)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Features**:  
  - Burst modes: Linear, Interleaved  
  - On-chip address and data pipelining  
  - Byte write control  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - Sleep mode for reduced power consumption  

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.