18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1168KV18-400BZXC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Density**: 72-Mbit (4M × 18)  
- **Organization**: 4,194,304 words × 18 bits  
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock cycle)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) and 1.5V (VDDQ)  
- **Interface**: QDR™ (Quad Data Rate) SRAM  
- **Architecture**: Synchronous pipelined with separate read/write ports  
- **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)  
- **I/O Type**: HSTL (1.5V)  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - No bus contention  
  - Echo clocks for data capture  
  - JTAG boundary scan support  
  - On-chip address and data pipeline registers  

This SRAM is designed for high-bandwidth networking, telecommunications, and other performance-critical applications.