18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C11681KV18-400BZC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: 18-Mbit (1M x 18) Synchronous Pipelined SRAM  
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock cycle time)  
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (HSTL-compatible)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Access Time**: Pipelined operation with 2-cycle latency  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array), 13mm × 15mm  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Byte Write capability (per-byte write control)  
  - Single-cycle Read/Write operations  
  - Echo Clock for data capture  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-performance networking and telecommunications applications.