18-Mbit QDR?II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1165KV18-550BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous SRAM (QDR II+)
2. **Density**: 72-Mbit (organized as 4M x 18)
3. **Speed**: 550 MHz (clock frequency)
4. **Data Rate**: 1100 Mbps (double data rate)
5. **Voltage Supply**: 1.8V (core) and 1.5V (I/O)
6. **Interface**: QDR II+ (Quad Data Rate II+)
7. **Latency**: Programmable (2 or 3 cycles for read/write)
8. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
9. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
10. **Features**: Separate read/write ports, burst modes, and pipelined operation.

This device is designed for high-bandwidth applications such as networking, telecommunications, and data processing.