18-Mbit QDR?II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1165KV18-400BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: 18-Mbit (1M x 18) Synchronous Flow-Through SRAM  
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock-to-data access)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) with HSTL I/O  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Features**:  
  - Pipelined and flow-through operation  
  - Byte-wise write control  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet and product documentation.)