18-Mbit QDR?II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1165KV18-400BZC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous SRAM (QDR II+)
2. **Density**: 72-Mbit (organized as 4M x 18)
3. **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock cycle)
4. **Supply Voltage**: 1.8V (VDD) and 1.5V (VDDQ for I/O)
5. **Interface**: QDR II+ (Quad Data Rate II+)
6. **Data Rate**: 800 Mbps (double data rate on both rising and falling edges)
7. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
8. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
9. **Architecture**: Separate input/output (I/O) for read and write operations
10. **Features**: 
    - Pipelined and flow-through operation
    - Burst lengths of 2 or 4
    - On-chip address and data pipeline registers
    - HSTL (High-Speed Transceiver Logic) I/O
    - JTAG boundary scan support
    - RoHS compliant

This SRAM is designed for high-bandwidth applications such as networking, telecommunications, and data processing.