18-Mbit QDR?II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) The CY7C1163KV18-400BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Memory Size**: 18 Mbit (1M x 18)
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock cycle)
- **Supply Voltage**: 1.7V to 1.9V (core), 1.7V to 1.9V (I/O)
- **Interface**: Synchronous, pipelined with ZQ-controlled output impedance
- **Operating Temperature**: -40°C to +95°C (Industrial)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
- **Features**: 
  - Supports burst operations (linear or interleaved)
  - On-chip address and data pipeline registers
  - Byte write control
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption
  - HSTL (High-Speed Transceiver Logic) I/O compatible

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.