18-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C11501KV18-400BZXI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18 Mbit (1M x 18)  
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock cycle)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) ±5%  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed applications  
  - Byte Write capability  
  - Echo Clock for data capture  
  - JTAG boundary scan support  

This SRAM is commonly used in networking, telecommunications, and high-speed computing applications.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet)