18-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) The CY7C11481KV18-400BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: 18-Mbit (1M x 18) Synchronous Pipelined SRAM  
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock-to-data access)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) core, 1.5V (VDDQ) I/O  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed applications  
  - Byte-wise write control  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  
  - JTAG boundary scan support  

This SRAM is designed for networking, telecommunications, and other high-bandwidth applications.