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CY7C1051DV33-10BAXI from CYPRESS

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CY7C1051DV33-10BAXI

Manufacturer: CYPRESS

8-Mbit (512 K ?16) Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1051DV33-10BAXI,CY7C1051DV3310BAXI CYPRESS 3360 In Stock

Description and Introduction

8-Mbit (512 K ?16) Static RAM The CY7C1051DV33-10BAXI is a 1-Megabit (128K x 8) Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Key specifications include:  

- **Organization**: 128K x 8  
- **Density**: 1 Mbit  
- **Voltage Supply**: 3.3V  
- **Access Time**: 10 ns  
- **Operating Current**: 15 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 μA (typical)  
- **Package**: 44-pin TSOP (Type II)  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C  
- **I/O Type**: 5V-tolerant inputs and outputs  
- **Features**:  
  - Low power consumption  
  - Automatic power-down when deselected  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
  - Three-state outputs  

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet for CY7C1051DV33-10BAXI)

Application Scenarios & Design Considerations

8-Mbit (512 K ?16) Static RAM# CY7C1051DV3310BAXI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1051DV3310BAXI is a 1-Mbit (128K × 8) static RAM organized as 131,072 words by 8 bits, operating from a 3.3V power supply. This high-speed CMOS SRAM is manufactured using Cypress's advanced CMOS technology.

 Primary Applications Include: 
-  Cache Memory Systems : Frequently used as L2/L3 cache in embedded systems and networking equipment
-  Data Buffering : Ideal for temporary data storage in communication systems and data acquisition units
-  Working Memory : Serves as primary RAM in microcontroller-based systems requiring fast access times
-  DMA Operations : Supports direct memory access operations in high-performance computing applications

### Industry Applications
 Telecommunications Equipment 
- Network switches and routers for packet buffering
- Base station controllers in wireless infrastructure
- VoIP gateways and session border controllers

 Industrial Automation 
- PLCs (Programmable Logic Controllers) for program storage and data logging
- Motor control systems requiring fast access to control parameters
- Real-time data acquisition systems

 Medical Devices 
- Patient monitoring equipment for temporary data storage
- Medical imaging systems for intermediate processing buffers
- Portable medical instruments requiring low-power operation

 Automotive Systems 
- Infotainment systems for multimedia buffering
- Advanced driver assistance systems (ADAS)
- Telematics control units

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 10 ns access time enables rapid data retrieval
-  Low Power Consumption : 30 mA active current and 5 μA standby current
-  Wide Temperature Range : Industrial grade (-40°C to +85°C) operation
-  3.3V Operation : Compatible with modern low-voltage systems
-  TTL-Compatible Inputs : Easy integration with various logic families

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires constant power to retain data
-  Limited Density : 1-Mbit capacity may be insufficient for large buffer applications
-  Single Supply Operation : Cannot interface directly with 5V systems without level shifting

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage spikes and data corruption
-  Solution : Use 0.1 μF ceramic capacitors placed within 0.5 inches of each VCC pin, plus a 10 μF bulk capacitor per power rail

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Long trace lengths causing signal degradation and timing violations
-  Solution : Maintain controlled impedance traces (50-65Ω) and use series termination resistors for address and control lines

 Timing Violations 
-  Pitfall : Failure to meet setup and hold times during read/write operations
-  Solution : Implement proper timing analysis using worst-case conditions and account for PCB propagation delays

### Compatibility Issues with Other Components

 Voltage Level Compatibility 
- The 3.3V I/O levels require level translation when interfacing with 5V components
- Use bidirectional level shifters for mixed-voltage systems

 Timing Synchronization 
- Ensure clock domain crossing is properly handled when interfacing with asynchronous systems
- Implement proper metastability protection using synchronizer chains

 Bus Contention 
- Multiple devices on shared bus may cause contention during switching
- Use tri-state buffers and proper bus arbitration logic

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement star-point grounding for analog and digital sections
- Ensure adequate copper pour for current carrying capacity

 Signal Routing 
- Route address and data buses as matched-length groups
- Maintain minimum 3W rule

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1051DV33-10BAXI,CY7C1051DV3310BAXI CY 30 In Stock

Description and Introduction

8-Mbit (512 K ?16) Static RAM The CY7C1051DV33-10BAXI is a 3.3V, 1-Mbit (64K x 16) Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications:

- **Organization**: 64K x 16  
- **Density**: 1 Mbit  
- **Supply Voltage**: 3.3V (VDD = 3.3V ± 0.3V)  
- **Access Time**: 10 ns  
- **Operating Current**: 25 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 µA (typical, CMOS level)  
- **I/O Type**: Common I/O  
- **Package**: 48-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - High-speed CMOS technology  
  - Fully static operation (no clock or refresh required)  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
  - Automatic power-down when deselected  
  - Three-state outputs  

This device is commonly used in applications requiring high-speed, low-power SRAM, such as networking, telecommunications, and embedded systems.

Application Scenarios & Design Considerations

8-Mbit (512 K ?16) Static RAM# CY7C1051DV3310BAXI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1051DV3310BAXI serves as a high-performance  1Mbit (128K × 8) Static RAM  component in various embedded systems and computing applications. Key use cases include:

-  Data Buffering : Temporary storage for high-speed data transfer operations between processors and peripherals
-  Cache Memory : Secondary cache implementation in microcontroller-based systems requiring fast access times
-  Real-time Data Processing : Temporary storage for sensor data in industrial automation and measurement systems
-  Communication Buffers : Packet buffering in network equipment and telecommunications infrastructure

### Industry Applications
 Automotive Systems : Engine control units (ECUs), infotainment systems, and advanced driver assistance systems (ADAS) where reliable data storage is critical for real-time processing.

 Industrial Automation : Programmable logic controllers (PLCs), motor control systems, and robotics requiring deterministic access times and industrial temperature range operation.

 Medical Equipment : Patient monitoring systems, diagnostic imaging equipment, and portable medical devices where data integrity and reliability are paramount.

 Consumer Electronics : High-end gaming consoles, smart home devices, and multimedia systems requiring fast memory access for optimal performance.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Low Power Consumption : 45 mA active current and 20 μA standby current enable battery-operated applications
-  High-Speed Operation : 10 ns access time supports high-frequency processor interfaces
-  Industrial Temperature Range : -40°C to +85°C operation ensures reliability in harsh environments
-  TTL-Compatible Interfaces : Simplified integration with various logic families

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires continuous power to maintain data integrity
-  Limited Density : 1Mbit capacity may be insufficient for applications requiring large memory footprints
-  Single Supply Operation : 3.3V operation may require level shifting in mixed-voltage systems

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 0.1 μF ceramic capacitors placed within 5 mm of each VCC pin, with bulk 10 μF tantalum capacitors distributed across the board

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on address and data lines due to improper termination
-  Solution : Use series termination resistors (22-33Ω) close to driver outputs for impedance matching

 Timing Violations 
-  Pitfall : Setup and hold time violations causing data corruption
-  Solution : Carefully analyze timing margins using worst-case conditions and implement proper clock distribution

### Compatibility Issues
 Voltage Level Compatibility 
- The 3.3V LVTTL interfaces may require level translation when interfacing with 5V TTL or 1.8V CMOS devices

 Timing Constraints 
- Ensure host controller can meet SRAM timing requirements, particularly when operating at maximum frequency

 Bus Contention 
- Implement proper bus management to prevent multiple devices from driving the bus simultaneously

### PCB Layout Recommendations
 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and GND with multiple vias connecting to component pads
- Implement star-point grounding for analog and digital sections to minimize noise coupling

 Signal Routing 
- Route address and data buses as matched-length groups to maintain timing relationships
- Maintain 3W spacing rule (three times the trace width) between critical signals to reduce crosstalk
- Keep trace lengths under 100 mm for signals operating above 50 MHz

 Component Placement 
- Position decoupling capacitors immediately adjacent to power pins
- Place series termination resistors at the driver end of transmission lines
- Maintain minimum 2 mm clearance from other high-frequency

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