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CY7C1049CV33-15ZI from CYPRESS

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CY7C1049CV33-15ZI

Manufacturer: CYPRESS

4-Mbit (512K x 8) Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1049CV33-15ZI,CY7C1049CV3315ZI CYPRESS 214 In Stock

Description and Introduction

4-Mbit (512K x 8) Static RAM The CY7C1049CV33-15ZI is a high-performance CMOS Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Density**: 4 Megabits (512K x 8-bit)
- **Voltage Supply**: 3.3V (VDD = 3.3V ± 0.3V)
- **Access Time**: 15 ns
- **Operating Current**: 25 mA (typical)
- **Standby Current**: 5 µA (typical, with CE# at VDD)
- **Package**: 44-pin TSOP II (Thin Small Outline Package)
- **Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Interface**: Asynchronous
- **Features**: 
  - Low power consumption
  - TTL-compatible inputs and outputs
  - Automatic power-down when deselected
  - Data retention capability at reduced voltage (2V minimum)

This SRAM is designed for applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.

Application Scenarios & Design Considerations

4-Mbit (512K x 8) Static RAM# CY7C1049CV3315ZI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1049CV3315ZI is a high-performance 4-Mbit (512K × 8) static RAM organized as 524,288 words by 8 bits, operating at 3.3V. This SRAM finds extensive application in systems requiring high-speed data storage and retrieval with minimal access latency.

 Primary Use Cases: 
-  Embedded Systems : Serves as working memory for microcontrollers and microprocessors in industrial control systems, automotive electronics, and consumer appliances
-  Data Buffering : Implements FIFO/LIFO buffers in networking equipment, telecommunications systems, and data acquisition units
-  Cache Memory : Functions as secondary cache in embedded computing systems where high-speed data access is critical
-  Temporary Storage : Provides volatile storage in medical devices, test equipment, and instrumentation systems

### Industry Applications
 Telecommunications Infrastructure 
- Base station controllers and network switches
- Packet buffering in routers and gateways
- Signal processing units in 5G equipment

 Industrial Automation 
- PLC (Programmable Logic Controller) memory expansion
- Motion control systems and robotics
- Real-time data logging and processing

 Automotive Electronics 
- Advanced driver assistance systems (ADAS)
- Infotainment systems and telematics
- Engine control units and sensor data processing

 Medical Equipment 
- Patient monitoring systems
- Diagnostic imaging equipment
- Portable medical devices requiring fast data access

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 15ns access time enables rapid data transfer
-  Low Power Consumption : 3.3V operation with automatic power-down features
-  Wide Temperature Range : Industrial-grade operation (-40°C to +85°C)
-  High Reliability : CMOS technology with excellent noise immunity
-  Easy Integration : Standard pinout compatible with industry norms

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires continuous power supply for data retention
-  Density Constraints : 4-Mbit density may be insufficient for large-scale storage applications
-  Cost Considerations : Higher cost per bit compared to DRAM alternatives
-  Refresh Requirements : Unlike DRAM, no refresh cycles needed, but power consumption scales with density

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage spikes and data corruption
-  Solution : Implement 0.1μF ceramic capacitors near each VCC pin and 10μF bulk capacitor per power rail

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Long trace lengths causing signal degradation and timing violations
-  Solution : Maintain trace lengths under 2 inches for critical signals; use series termination resistors

 Timing Violations 
-  Pitfall : Ignoring setup and hold times leading to unreliable operation
-  Solution : Carefully analyze timing diagrams; implement proper clock distribution networks

### Compatibility Issues with Other Components

 Voltage Level Compatibility 
- The 3.3V operation requires level translation when interfacing with 5V or 1.8V systems
- Use bidirectional voltage translators for mixed-voltage designs

 Bus Loading Considerations 
- Multiple SRAM devices on shared buses require proper bus loading analysis
- Implement buffer ICs when driving multiple memory devices

 Microcontroller Interface 
- Verify controller compatibility with asynchronous SRAM timing requirements
- Ensure proper chip select and output enable signal timing

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement star-point grounding for analog and digital sections
- Place decoupling capacitors as close as possible to power pins

 Signal Routing 
- Route address and data buses as matched-length groups
- Maintain

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1049CV33-15ZI,CY7C1049CV3315ZI CYP 3340 In Stock

Description and Introduction

4-Mbit (512K x 8) Static RAM The CY7C1049CV33-15ZI is a 4-Mbit (512K × 8) static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Organization**: 512K × 8  
- **Density**: 4 Mbit  
- **Voltage Supply**: 3.3V (VDD = 3.0V to 3.6V)  
- **Access Time**: 15 ns  
- **Operating Current**: 25 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 µA (typical)  
- **Package**: 44-pin TSOP II (Type II)  
- **Interface**: Parallel  
- **Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Low power consumption  
  - High-speed CMOS technology  
  - Automatic power-down when deselected  
  - TTL-compatible inputs/outputs  

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.

Application Scenarios & Design Considerations

4-Mbit (512K x 8) Static RAM# CY7C1049CV3315ZI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1049CV3315ZI is a high-performance 4-Mbit (512K × 8) static random-access memory (SRAM) component commonly employed in systems requiring fast, non-volatile data storage with low power consumption. Key use cases include:

-  Embedded Systems : Real-time data buffering and temporary storage in microcontroller-based applications
-  Network Equipment : Packet buffering in routers, switches, and network interface cards
-  Industrial Control : Program storage and data logging in PLCs and automation systems
-  Medical Devices : Patient monitoring equipment and diagnostic instruments requiring reliable data retention
-  Automotive Electronics : Infotainment systems and advanced driver assistance systems (ADAS)

### Industry Applications
-  Telecommunications : Base station equipment and network infrastructure
-  Aerospace and Defense : Avionics systems and military communications
-  Consumer Electronics : Gaming consoles and high-end audio/video equipment
-  Industrial Automation : Robotics control systems and sensor networks
-  Computing Systems : Cache memory and temporary storage in servers and workstations

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 15 ns access time supports high-frequency applications
-  Low Power Consumption : 100 μA typical standby current extends battery life
-  Wide Voltage Range : 3.0V to 3.6V operation accommodates various system designs
-  Temperature Resilience : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) ensures reliability
-  Simple Interface : Asynchronous operation eliminates complex timing requirements

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires continuous power for data retention
-  Density Constraints : 4-Mbit capacity may be insufficient for large-scale storage applications
-  Cost Considerations : Higher per-bit cost compared to DRAM alternatives
-  Board Space : TSOP II package requires careful PCB layout planning

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 0.1 μF ceramic capacitors near each VCC pin and bulk 10 μF tantalum capacitors

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Long, unmatched trace lengths leading to signal reflections
-  Solution : Maintain trace lengths under 2 inches and implement proper termination

 Timing Violations 
-  Pitfall : Ignoring setup and hold time requirements
-  Solution : Use timing analysis tools and adhere to datasheet specifications

### Compatibility Issues with Other Components

 Microcontroller Interfaces 
- Ensure compatible voltage levels (3.3V operation)
- Verify timing compatibility with host processor speed
- Check bus loading characteristics

 Mixed-Signal Systems 
- Isolate analog and digital grounds properly
- Implement noise suppression techniques near sensitive analog components

 Power Management ICs 
- Verify power sequencing requirements
- Ensure adequate current sourcing capability

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement star-point grounding for noise reduction
- Place decoupling capacitors within 0.1 inches of device pins

 Signal Routing 
- Route address and data buses as matched-length groups
- Maintain 50-ohm characteristic impedance
- Avoid crossing split planes with critical signals

 Thermal Management 
- Provide adequate copper pour for heat dissipation
- Consider thermal vias for enhanced cooling
- Maintain minimum 0.5mm clearance from other heat-generating components

 Package-Specific Considerations 
- TSOP II package requires careful solder paste stencil design
- Ensure proper reflow profile adherence
- Implement solder mask-defined pads for improved reliability

## 3.

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