IC Phoenix logo

Home ›  C  › C43 > CY7C1049BV33-15VC

CY7C1049BV33-15VC from CY,Cypress

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

CY7C1049BV33-15VC

Manufacturer: CY

Memory : Async SRAMs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1049BV33-15VC,CY7C1049BV3315VC CY 127 In Stock

Description and Introduction

Memory : Async SRAMs The CY7C1049BV33-15VC is a 4-Mbit (512K x 8) Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Memory Size:** 4 Mbit (512K x 8)  
- **Supply Voltage:** 3.3V  
- **Access Time:** 15 ns  
- **Operating Current:** 25 mA (typical)  
- **Standby Current:** 2 µA (typical)  
- **Package:** 44-pin TSOP II (Type 1)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Technology:** High-performance CMOS  
- **Features:**  
  - Asynchronous operation  
  - Low-power standby mode  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
  - Automatic power-down when deselected  

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.  

(Note: Always verify with the latest datasheet from Infineon for updated specifications.)

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : Async SRAMs# CY7C1049BV3315VC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1049BV3315VC 4-Mbit (512K × 8) Static RAM finds extensive application in systems requiring high-speed, low-power memory solutions with battery backup capability. Primary use cases include:

-  Embedded Systems : Serves as main memory in microcontroller-based systems requiring fast access times (15ns) for real-time processing
-  Data Buffering : Implements FIFO buffers in communication equipment and network switches
-  Cache Memory : Functions as secondary cache in industrial computing applications
-  Temporary Storage : Provides volatile storage in medical devices, test equipment, and automotive systems

### Industry Applications
-  Telecommunications : Base station equipment, network routers, and switching systems
-  Industrial Automation : PLCs, motor controllers, and robotics control systems
-  Medical Equipment : Patient monitoring systems, diagnostic instruments, and imaging devices
-  Automotive Electronics : Infotainment systems, advanced driver assistance systems (ADAS)
-  Consumer Electronics : High-end gaming consoles, set-top boxes, and smart home devices

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
- Ultra-low standby current (3μA typical) enables extended battery operation
- Wide voltage range (2.2V to 3.6V) supports multiple power supply configurations
- Industrial temperature range (-40°C to +85°C) ensures reliability in harsh environments
- Automatic power-down feature reduces overall system power consumption
- High-speed access (15ns maximum) supports high-performance applications

 Limitations: 
- Volatile memory requires battery backup or alternative storage for data retention
- Limited density (4Mbit) compared to modern DRAM solutions
- Higher cost per bit compared to higher-density memory technologies
- Requires external refresh circuitry for long-term data retention in battery-backed applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Power Supply Decoupling: 
-  Pitfall : Insufficient decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 0.1μF ceramic capacitors near each VCC pin and bulk 10μF tantalum capacitors

 Signal Integrity Issues: 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on address/data lines due to improper termination
-  Solution : Use series termination resistors (22-33Ω) on critical signal lines

 Timing Violations: 
-  Pitfall : Setup/hold time violations at higher operating frequencies
-  Solution : Implement proper clock distribution and signal delay matching

### Compatibility Issues
 Voltage Level Compatibility: 
- The 3.3V operation requires level translation when interfacing with 5V or 1.8V systems
- Recommended level shifters: TXB0108 (bidirectional) or SN74LVC8T245 (directional)

 Bus Loading Considerations: 
- Maximum of 8 devices per bus segment without buffer amplification
- For larger arrays, use bus transceivers to maintain signal integrity

 Microcontroller Interface: 
- Compatible with most 32-bit microcontrollers (ARM Cortex-M series)
- Requires external memory controller support for direct mapping

### PCB Layout Recommendations
 Power Distribution: 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement star-point grounding for analog and digital sections
- Place decoupling capacitors within 5mm of device pins

 Signal Routing: 
- Route address/data buses as matched-length groups (±5mm tolerance)
- Maintain 3W spacing rule for parallel traces to minimize crosstalk
- Use 45° angles or curved traces instead of 90° bends

 Thermal Management: 
- Provide adequate copper pour for heat dissipation
- Ensure minimum 2mm clearance from other heat-generating

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1049BV33-15VC,CY7C1049BV3315VC CYPRESS 26 In Stock

Description and Introduction

Memory : Async SRAMs The CY7C1049BV33-15VC is a 4-Mbit (512K x 8) Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Organization**: 512K words x 8 bits  
- **Density**: 4 Mbit  
- **Supply Voltage**: 3.3V (VDD = 3.0V to 3.6V)  
- **Access Time**: 15 ns  
- **Operating Current**: 70 mA (typical)  
- **Standby Current**: 3 mA (typical)  
- **Package**: 44-pin TSOP II (Type 1)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface**: Asynchronous  
- **Features**:  
  - High-speed CMOS technology  
  - Low active and standby power consumption  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
  - Automatic power-down when deselected  

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed data access, such as networking, telecommunications, and computing systems.

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : Async SRAMs# CY7C1049BV3315VC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1049BV3315VC 4-Mbit (512K × 8) Static RAM finds extensive application in systems requiring high-speed, low-power memory solutions:

 Primary Applications: 
-  Embedded Systems : Serves as working memory for microcontrollers and processors in industrial automation, automotive control units, and consumer electronics
-  Communication Equipment : Buffer memory in networking devices, routers, and telecommunications infrastructure
-  Data Acquisition Systems : Temporary storage for high-speed data logging and signal processing applications
-  Medical Devices : Real-time data processing in patient monitoring equipment and diagnostic instruments

### Industry Applications
 Automotive Electronics 
- Engine control units (ECUs)
- Advanced driver-assistance systems (ADAS)
- Infotainment systems
- *Advantage*: Operating temperature range (-40°C to +85°C) suitable for automotive environments
- *Limitation*: Not AEC-Q100 qualified; requires additional qualification for safety-critical applications

 Industrial Automation 
- Programmable logic controllers (PLCs)
- Motor control systems
- Robotics and motion control
- *Advantage*: High noise immunity and reliable operation in electrically noisy environments
- *Limitation*: Limited density compared to modern SDRAM solutions

 Consumer Electronics 
- Gaming consoles
- Set-top boxes
- Printers and copiers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Fast Access Time : 15ns maximum access time enables high-speed operations
-  Low Power Consumption : Active current of 90mA (max), standby current of 30mA (max)
-  Wide Voltage Range : 3.0V to 3.6V operation compatible with modern low-voltage systems
-  High Reliability : CMOS technology provides excellent noise margins
-  Easy Interface : Simple SRAM interface without complex timing requirements

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires constant power to retain data
-  Density Constraints : 4-Mbit density may be insufficient for memory-intensive applications
-  Cost per Bit : Higher than DRAM alternatives for large memory requirements
-  Refresh Requirements : None (advantage over DRAM, but higher static power)

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
- *Pitfall*: Inadequate decoupling causing signal integrity issues and false writes
- *Solution*: Implement 0.1μF ceramic capacitors near each VCC pin, with bulk capacitance (10-100μF) for the entire memory array

 Signal Integrity 
- *Pitfall*: Long, unterminated traces causing signal reflections
- *Solution*: Use series termination resistors (22-33Ω) on address and control lines
- *Implementation*: Place termination close to driver, maintain controlled impedance (50-65Ω)

 Timing Violations 
- *Pitfall*: Ignoring setup and hold times leading to data corruption
- *Solution*: Strict adherence to datasheet timing parameters, particularly:
  - tRC (Read Cycle Time): 15ns minimum
  - tWC (Write Cycle Time): 15ns minimum
  - tAA (Address Access Time): 15ns maximum

### Compatibility Issues

 Voltage Level Matching 
-  3.3V Systems : Direct compatibility with 3.3V microcontrollers and FPGAs
-  5V Systems : Requires level shifters for control signals; address/data lines may tolerate 5V inputs (check absolute maximum ratings)
-  1.8V/2.5V Systems : Needs bidirectional voltage translators

 Bus Loading Considerations 
- Maximum of 4-6 devices on a single bus without buffer ICs

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips