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CY7C1049B-20VI from CY,Cypress

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CY7C1049B-20VI

Manufacturer: CY

Memory : Async SRAMs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1049B-20VI,CY7C1049B20VI CY 78 In Stock

Description and Introduction

Memory : Async SRAMs The CY7C1049B-20VI is a 4-Mbit (512K × 8) Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Organization**: 512K × 8 bits  
- **Density**: 4 Mbit  
- **Supply Voltage**: 3.3V (±10%)  
- **Access Time**: 20 ns  
- **Operating Current**: 40 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 mA (typical)  
- **Package**: 32-pin TSOP-I (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Interface**: Parallel  
- **Features**:  
  - High-speed CMOS technology  
  - Fully static operation (no refresh required)  
  - TTL-compatible inputs/outputs  
  - Automatic power-down when deselected  
  - Three-state outputs  

This SRAM is commonly used in applications requiring fast, low-power memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : Async SRAMs# CY7C1049B20VI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1049B20VI serves as a high-performance  4-Mbit (512K × 8) Static Random Access Memory (SRAM)  component in various embedded systems and computing applications. Typical implementations include:

-  Data buffering  in networking equipment where rapid packet processing requires temporary storage
-  Cache memory  for microprocessors and DSPs in industrial control systems
-  Temporary workspace  for real-time data processing in medical imaging devices
-  Program storage  during firmware updates in automotive ECUs
-  Configuration memory  for FPGAs and ASICs during initialization phases

### Industry Applications
 Telecommunications Infrastructure 
- Base station controllers requiring low-latency memory access
- Network switches and routers for packet buffering
- 5G equipment needing high-speed data processing

 Industrial Automation 
- PLCs (Programmable Logic Controllers) for real-time control data
- Robotics systems requiring fast access to positional data
- CNC machines for tool path calculations and temporary storage

 Medical Electronics 
- Patient monitoring systems for real-time data acquisition
- Diagnostic imaging equipment (ultrasound, CT scanners)
- Portable medical devices requiring reliable data retention

 Automotive Systems 
- Advanced driver assistance systems (ADAS)
- Infotainment systems for multimedia buffering
- Engine control units for sensor data processing

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low power consumption  (55 mA active current, 15 μA standby typical)
-  High-speed operation  (20 ns access time) enables real-time processing
-  Wide voltage range  (2.2V to 3.6V) compatibility with modern systems
-  Fully static operation  requires no refresh cycles
-  Industrial temperature range  (-40°C to +85°C) for harsh environments
-  TTL-compatible inputs  and outputs simplify interface design

 Limitations: 
-  Volatile memory  requires backup power for data retention
-  Limited density  compared to modern DRAM alternatives
-  Higher cost per bit  than DRAM solutions
-  Package constraints  (32-pin SOJ/TSOP II) may limit board space optimization

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Place 0.1 μF ceramic capacitors within 5 mm of each VCC pin, with bulk 10 μF tantalum capacitors distributed across the board

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Long, unmatched address/data lines causing signal reflections
-  Solution : Implement controlled impedance routing (50-60 Ω) with proper termination
-  Pitfall : Crosstalk between parallel bus lines
-  Solution : Maintain minimum 2× trace width spacing between critical signals

 Timing Violations 
-  Pitfall : Ignoring setup/hold time requirements at maximum frequency
-  Solution : Perform detailed timing analysis including clock skew and propagation delays
-  Pitfall : Overlooking temperature effects on access time
-  Solution : Design with worst-case timing margins (+25% over datasheet values)

### Compatibility Issues with Other Components

 Microprocessor Interfaces 
-  3.3V Systems : Direct compatibility with most modern microcontrollers
-  5V Systems : Requires level shifters for address/data lines to prevent damage
-  Mixed-voltage Systems : Ensure proper voltage translation for control signals (CE#, OE#, WE#)

 Bus Contention Prevention 
- Implement proper bus isolation when multiple devices share the same bus
- Use tri-state buffers with appropriate enable/disable timing
- Consider bus keeper circuits

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1049B-20VI,CY7C1049B20VI CYE 649 In Stock

Description and Introduction

Memory : Async SRAMs The CY7C1049B-20VI is a high-performance CMOS static RAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Organization**: 512K words × 8 bits (4 Mbit)  
- **Supply Voltage**: 3.3V (±10%)  
- **Access Time**: 20 ns  
- **Operating Current**: 60 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 mA (typical)  
- **Package**: 32-pin TSOP Type I  
- **Operating Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Interface**: Asynchronous  
- **Data Retention**: >10 years  
- **Technology**: CMOS  

The part is RoHS compliant and supports unlimited read/write cycles. It is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems.

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : Async SRAMs# CY7C1049B20VI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1049B20VI serves as a high-performance  4-Mbit (512K × 8) Static Random Access Memory (SRAM)  component in various embedded systems and computing applications. Its primary use cases include:

-  Data Buffering : Temporary storage for data processing pipelines in communication systems
-  Cache Memory : Secondary cache in microprocessor-based systems requiring fast access times
-  Temporary Storage : Working memory for real-time data processing applications
-  Backup Memory : Battery-backed applications for critical data retention during power loss

### Industry Applications
 Telecommunications Equipment 
- Network routers and switches for packet buffering
- Base station controllers in wireless infrastructure
- VoIP gateways and session border controllers

 Industrial Automation 
- Programmable Logic Controller (PLC) memory expansion
- Robotics control systems requiring fast access memory
- Real-time process control systems

 Medical Devices 
- Patient monitoring equipment data storage
- Medical imaging systems (ultrasound, CT scanners)
- Portable medical diagnostic equipment

 Automotive Systems 
- Advanced driver assistance systems (ADAS)
- Infotainment systems
- Engine control units (ECUs)

 Aerospace and Defense 
- Avionics systems
- Radar and sonar signal processing
- Military communication equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 20ns access time enables rapid data retrieval
-  Low Power Consumption : 100mA active current and 5μA standby current
-  Wide Voltage Range : 2.7V to 3.6V operation supports various system designs
-  Temperature Resilience : Industrial temperature range (-40°C to +85°C)
-  Non-Volatile Option : Compatible with battery backup solutions

 Limitations: 
-  Density Constraints : 4-Mbit density may be insufficient for high-capacity applications
-  Cost Considerations : Higher per-bit cost compared to DRAM alternatives
-  Refresh Requirements : Unlike DRAM, no refresh needed, but battery backup adds complexity
-  Board Space : TSOP package requires significant PCB real estate

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 0.1μF ceramic capacitors near each VCC pin and bulk 10μF tantalum capacitors

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Long, unmatched trace lengths causing signal reflections
-  Solution : Maintain controlled impedance traces and proper termination for address/data lines

 Timing Violations 
-  Pitfall : Ignoring setup and hold time requirements
-  Solution : Carefully analyze timing margins and implement proper clock distribution

### Compatibility Issues with Other Components

 Voltage Level Matching 
-  Issue : 3.3V operation may require level shifting when interfacing with 5V or 1.8V components
-  Resolution : Use appropriate level translators or select compatible peripheral components

 Bus Loading 
-  Issue : Excessive capacitive loading when multiple devices share the same bus
-  Resolution : Implement bus buffers or reduce the number of devices per bus segment

 Timing Synchronization 
-  Issue : Clock domain crossing between different frequency domains
-  Resolution : Use synchronizers or FIFO buffers for reliable data transfer

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement star-point grounding for analog and digital sections
- Ensure adequate copper weight for current carrying capacity

 Signal Routing 
- Route address and data buses as matched-length groups
- Maintain minimum 3W rule for trace spacing to reduce crosstalk

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1049B-20VI,CY7C1049B20VI CYPRESS 2350 In Stock

Description and Introduction

Memory : Async SRAMs The CY7C1049B-20VI is a 1-Megabit (128K x 8) Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Organization**: 128K x 8  
- **Density**: 1 Megabit (1 Mb)  
- **Supply Voltage**: 3.3V (operating range: 3.0V to 3.6V)  
- **Access Time**: 20 ns  
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **I/O Type**: 5V-tolerant inputs and outputs  
- **Standby Current**: Low power consumption in standby mode (typically 2.5 mA)  
- **Active Current**: Typically 45 mA at maximum frequency  
- **Data Retention**: Guaranteed with 2.0V supply  
- **Interface**: Asynchronous  
- **Control Pins**: Chip Enable (CE), Output Enable (OE), and Write Enable (WE)  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast access times and low power consumption.

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : Async SRAMs# CY7C1049B20VI 512K x 8 Static RAM Technical Documentation

*Manufacturer: CYPRESS*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1049B20VI serves as a high-performance 4-Mbit (512K × 8) static random access memory (SRAM) component ideal for applications requiring fast, non-volatile memory solutions with simple interfacing.

 Primary Applications Include: 
-  Embedded Systems : Microcontroller and microprocessor memory expansion
-  Data Buffering : Temporary storage in communication interfaces and data acquisition systems
-  Cache Memory : Secondary cache in computing applications
-  Industrial Control Systems : Real-time data processing and temporary parameter storage

### Industry Applications
-  Automotive Electronics : Engine control units, infotainment systems, and advanced driver assistance systems (ADAS)
-  Telecommunications : Network routers, switches, and base station equipment
-  Medical Devices : Patient monitoring systems and diagnostic equipment
-  Industrial Automation : PLCs, motor controllers, and robotics
-  Consumer Electronics : Gaming consoles, set-top boxes, and high-end printers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Fast Access Time : 20 ns maximum access time enables high-speed operations
-  Low Power Consumption : Operating current of 70 mA (typical) and standby current of 5 mA
-  Wide Voltage Range : 2.7V to 3.6V operation compatible with modern low-voltage systems
-  Simple Interface : Direct microprocessor compatibility with separate data I/O and chip enable controls
-  High Reliability : Industrial temperature range (-40°C to +85°C) operation

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires continuous power to maintain data integrity
-  Density Limitations : 4-Mbit density may be insufficient for large memory requirements
-  Cost Consideration : Higher cost per bit compared to DRAM alternatives
-  Board Space : TSOP package requires adequate PCB real estate

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing signal integrity issues and data corruption
-  Solution : Implement 0.1 μF ceramic capacitors near each VCC pin and bulk 10 μF tantalum capacitors for the power supply

 Signal Integrity 
-  Pitfall : Long, unmatched trace lengths causing timing violations
-  Solution : Maintain trace length matching for address and data lines within ±5 mm

 Timing Violations 
-  Pitfall : Failure to meet setup and hold times during read/write operations
-  Solution : Carefully analyze timing diagrams and implement proper wait state generation

### Compatibility Issues with Other Components

 Microprocessor Interface 
- Compatible with most 3.3V microprocessors and microcontrollers
- May require level shifting when interfacing with 5V systems
- Ensure proper timing alignment with processor bus cycles

 Mixed-Signal Systems 
- Potential noise coupling with analog components
- Recommended separation of analog and digital grounds with single-point connection

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement star-point grounding for multiple devices
- Ensure low-impedance power delivery paths

 Signal Routing 
- Route address and data buses as matched-length groups
- Maintain 3W rule for critical signal isolation (W = trace width)
- Avoid crossing split planes with high-speed signals

 Package Considerations 
- TSOP Type I package requires careful solder paste application
- Thermal relief patterns recommended for power and ground connections
- Provide adequate clearance for automated optical inspection

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Memory Organization 
- Density: 4,194,304 bits
- Organization: 524,

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1049B-20VI,CY7C1049B20VI CRY 7 In Stock

Description and Introduction

Memory : Async SRAMs The CY7C1049B-20VI is a 4-Mbit (512K x 8) static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Organization**: 512K words × 8 bits  
- **Operating Voltage**: 3.3V  
- **Access Time**: 20 ns  
- **Operating Current**: 70 mA (typical)  
- **Standby Current**: 3 mA (typical)  
- **Package**: 36-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Interface**: Asynchronous  
- **Features**:  
  - Low power consumption  
  - TTL-compatible inputs/outputs  
  - Automatic power-down when deselected  

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : Async SRAMs# CY7C1049B20VI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1049B20VI 4-Mbit (512K × 8) Static RAM finds extensive application in systems requiring high-speed, low-power memory solutions:

-  Embedded Systems : Primary memory for microcontroller-based applications requiring fast access times (20ns) and low standby current
-  Data Buffering : Temporary storage in communication interfaces, network equipment, and data acquisition systems
-  Cache Memory : Secondary cache in industrial computing applications where speed is critical but cost constraints prohibit faster alternatives
-  Real-time Systems : Mission-critical applications requiring deterministic access times and reliable performance

### Industry Applications
-  Industrial Automation : PLCs, motor controllers, and robotics systems benefit from the component's -40°C to +85°C industrial temperature range
-  Telecommunications : Network switches, routers, and base station equipment utilize the SRAM for packet buffering and temporary data storage
-  Medical Equipment : Patient monitoring systems and diagnostic instruments leverage the reliable performance and industrial temperature capabilities
-  Automotive Systems : Engine control units and infotainment systems (non-safety critical applications) benefit from the robust performance characteristics
-  Test and Measurement : High-speed data acquisition systems and oscilloscopes utilize the fast access times for temporary waveform storage

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Performance : 20ns access time enables rapid data retrieval in time-sensitive applications
-  Low Power Consumption : Active current of 70mA (typical) and standby current of 5mA (typical) support power-efficient designs
-  Industrial Temperature Range : -40°C to +85°C operation ensures reliability in harsh environments
-  Simple Interface : Asynchronous operation eliminates complex timing controllers
-  Non-volatile Backup : Compatible with battery backup systems for data retention during power loss

 Limitations: 
-  Volatility : Requires continuous power or battery backup for data retention
-  Density Limitations : 4-Mbit density may be insufficient for modern high-capacity applications
-  Package Constraints : 32-pin SOJ package may require more board space compared to newer packages
-  Speed Considerations : While fast, may not meet requirements for cutting-edge high-speed processors

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 0.1μF ceramic capacitors placed within 0.5" of each VCC pin, with bulk 10μF tantalum capacitors distributed across the board

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on address and data lines due to improper termination
-  Solution : Use series termination resistors (22-33Ω) on critical signals, matched to trace impedance

 Timing Violations 
-  Pitfall : Failure to meet setup and hold times due to clock skew
-  Solution : Implement proper clock distribution and signal length matching for synchronous interfaces

### Compatibility Issues with Other Components

 Voltage Level Compatibility 
- The 3.3V operation requires level shifting when interfacing with 5V components
- Recommended level translators: SN74LVC8T245 for bidirectional data lines

 Timing Synchronization 
- Asynchronous nature may require additional logic (flip-flops, buffers) when interfacing with synchronous systems
- Consider using CY7C1049B20VI with microcontrollers having flexible memory interface timing

 Bus Contention 
- Multiple devices on shared bus may cause contention during switching
- Implement proper bus management using tri-state buffers and careful timing control

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and GND to

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