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CY7C1049B-15VI from CY,Cypress

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CY7C1049B-15VI

Manufacturer: CY

Memory : Async SRAMs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1049B-15VI,CY7C1049B15VI CY 1 In Stock

Description and Introduction

Memory : Async SRAMs The CY7C1049B-15VI is a high-performance CMOS static RAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Organization**: 512K x 8 bits (4 Mbit)
- **Supply Voltage**: 3.3V (±10%)
- **Access Time**: 15 ns
- **Operating Current**: 40 mA (typical)
- **Standby Current**: 5 µA (typical, CMOS standby)
- **Package**: 32-pin TSOP (Type I)
- **Operating Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Interface**: Parallel
- **Technology**: CMOS
- **Data Retention**: 10 years minimum at 85°C
- **Features**: 
  - Automatic power-down when deselected
  - TTL-compatible inputs and outputs
  - Three-state outputs
  - Byte-wide configuration

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking equipment, telecommunications, and embedded systems.

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : Async SRAMs# CY7C1049B15VI 4-Mbit (512K × 8) Static RAM Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1049B15VI serves as high-performance memory solution in systems requiring fast, non-volatile data storage with minimal access latency. Primary applications include:

-  Embedded Systems : Acting as primary working memory for microcontrollers and processors in industrial control systems
-  Data Buffering : Temporary storage in communication interfaces (Ethernet, USB controllers) and data acquisition systems
-  Cache Memory : Secondary cache in networking equipment and telecommunications infrastructure
-  Program Storage : Code execution space for real-time operating systems and firmware

### Industry Applications
-  Telecommunications : Base station controllers, network switches, and routers requiring high-speed data processing
-  Industrial Automation : PLCs, motor controllers, and robotics systems demanding reliable memory operation in harsh environments
-  Medical Equipment : Patient monitoring systems and diagnostic instruments where data integrity is critical
-  Automotive Electronics : Infotainment systems and advanced driver assistance systems (ADAS)
-  Aerospace and Defense : Avionics systems and military communications equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 15ns access time enables rapid data retrieval
-  Low Power Consumption : 100mA active current (typical) with automatic power-down features
-  Wide Temperature Range : Industrial grade (-40°C to +85°C) operation
-  Non-volatile Data Retention : Battery backup capability for critical data preservation
-  Simple Interface : Direct microprocessor compatibility without complex controllers

 Limitations: 
-  Density Constraints : 4Mbit capacity may be insufficient for high-density storage applications
-  Voltage Sensitivity : Requires stable 3.3V supply with proper decoupling
-  Physical Size : TSOP II package may limit use in space-constrained designs
-  Refresh Requirements : Unlike DRAM, no refresh needed but higher cost per bit

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Issues: 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 0.1μF ceramic capacitors near each VCC pin and bulk 10μF tantalum capacitors per bank

 Signal Integrity: 
-  Pitfall : Long, unmatched address/data lines causing signal reflections
-  Solution : Maintain trace impedance matching and use series termination resistors (22-33Ω)

 Timing Violations: 
-  Pitfall : Ignoring setup/hold times leading to metastability
-  Solution : Perform comprehensive timing analysis including clock skew and propagation delays

### Compatibility Issues

 Voltage Level Compatibility: 
- The 3.3V I/O requires level translation when interfacing with 5V or 1.8V systems
- Use bidirectional voltage translators (e.g., TXB0104) for mixed-voltage systems

 Bus Loading: 
- Maximum of 8 devices per bus without buffer chips
- For larger arrays, implement bus transceivers to maintain signal integrity

 Clock Domain Crossing: 
- Asynchronous operation requires proper synchronization when crossing clock domains
- Implement dual-port FIFOs or synchronizer circuits for reliable data transfer

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution: 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Place decoupling capacitors within 5mm of each VCC pin
- Implement star-point grounding for analog and digital sections

 Signal Routing: 
- Route address/data buses as matched-length groups (±50mil tolerance)
- Maintain 3W rule for critical signals (spacing = 3× trace width)
- Avoid vias in high-speed signal paths when possible

 Thermal Management: 
- Provide

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1049B-15VI,CY7C1049B15VI CYPRESS 200 In Stock

Description and Introduction

Memory : Async SRAMs The CY7C1049B-15VI is a high-performance CMOS static RAM manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Organization**: 512K x 8 bits (4 Mbit)
- **Technology**: CMOS
- **Supply Voltage**: 3.3V (operating range: 3.0V to 3.6V)
- **Access Time**: 15 ns
- **Operating Current**: 25 mA (typical)
- **Standby Current**: 5 µA (typical) with CMOS levels
- **Package**: 36-pin TSOP (Thin Small Outline Package)
- **Operating Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **I/O Interface**: 5V-tolerant inputs and outputs
- **Features**: 
  - Low power consumption
  - Automatic power-down when deselected
  - Three-state outputs
  - Byte-wide SRAM
  - TTL-compatible inputs and outputs

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : Async SRAMs# Technical Documentation: CY7C1049B15VI 4-Mbit (512K × 8) Static RAM

 Manufacturer : CYPRESS

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1049B15VI serves as a high-performance 4-Mbit static random-access memory (SRAM) organized as 512K × 8 bits. Its primary applications include:

-  Embedded Systems : Frequently employed as working memory in microcontroller-based systems requiring fast data access
-  Data Buffering : Ideal for temporary storage in communication interfaces, network equipment, and data acquisition systems
-  Cache Memory : Used as secondary cache in industrial computers and embedded processors
-  Real-time Systems : Critical for applications demanding deterministic access times and no refresh cycles

### Industry Applications
-  Telecommunications : Base station equipment, network routers, and switches for packet buffering
-  Industrial Automation : PLCs, motor controllers, and robotics for real-time data processing
-  Medical Devices : Patient monitoring systems and diagnostic equipment requiring reliable data storage
-  Automotive Electronics : Infotainment systems, advanced driver assistance systems (ADAS)
-  Aerospace and Defense : Avionics, radar systems, and military communications equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Fast Access Time : 15ns maximum access time enables high-speed operations
-  Low Power Consumption : Operating current of 70mA (typical) and standby current of 5mA
-  No Refresh Required : Unlike DRAM, maintains data without periodic refresh cycles
-  Wide Temperature Range : Industrial temperature rating (-40°C to +85°C)
-  Simple Interface : Direct microprocessor compatibility with separate data I/O

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires continuous power to retain data
-  Higher Cost per Bit : More expensive than DRAM alternatives
-  Limited Density : 4-Mbit capacity may be insufficient for large memory requirements
-  Power Consumption : Higher than low-power DRAM in certain applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling: 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 0.1μF ceramic capacitors near each VCC pin and bulk 10μF tantalum capacitors

 Signal Integrity: 
-  Pitfall : Long, unmatched trace lengths causing signal reflection and timing violations
-  Solution : Maintain controlled impedance traces and proper termination for address and control lines

 Timing Violations: 
-  Pitfall : Ignoring setup and hold times leading to data corruption
-  Solution : Carefully calculate timing margins considering temperature and voltage variations

### Compatibility Issues with Other Components

 Microprocessor Interface: 
- Compatible with most 8-bit microprocessors and microcontrollers
- May require level shifters when interfacing with 3.3V or lower voltage processors
- Check compatibility with specific processor wait-state requirements

 Mixed Voltage Systems: 
- 5V TTL-compatible I/O may require voltage translation when used with 3.3V systems
- Ensure proper signal level matching to prevent latch-up or damage

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution: 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement star-point grounding for analog and digital sections
- Place decoupling capacitors as close as possible to power pins

 Signal Routing: 
- Route address and control signals as matched-length traces
- Keep data lines grouped together with consistent spacing
- Minimize parallel run lengths between noisy signals and sensitive lines

 Thermal Management: 
- Provide adequate copper pour for heat dissipation
- Consider thermal vias under the package for improved cooling
- Maintain minimum clearance for air circulation in high-density layouts

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