IC Phoenix logo

Home ›  C  › C42 > CY7C1046CV33-12VC

CY7C1046CV33-12VC from CYPRESS

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

CY7C1046CV33-12VC

Manufacturer: CYPRESS

1M x 4 Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1046CV33-12VC,CY7C1046CV3312VC CYPRESS 2 In Stock

Description and Introduction

1M x 4 Static RAM The CY7C1046CV33-12VC is a 4-Mbit (256K x 16) static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Key specifications include:  

- **Organization**: 256K words × 16 bits  
- **Voltage Supply**: 3.3V (VDD = 3.0V to 3.6V)  
- **Access Time**: 12 ns  
- **Operating Current**: 70 mA (typical)  
- **Standby Current**: 3 mA (typical)  
- **Package**: 44-pin TSOP II (Type II)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface**: Asynchronous  
- **Control Pins**: Chip Enable (CE), Output Enable (OE), Write Enable (WE)  
- **Data Retention**: Supported at 2.0V (min) with reduced standby current  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast access times and low power consumption.

Application Scenarios & Design Considerations

1M x 4 Static RAM# CY7C1046CV3312VC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1046CV3312VC 4-Mbit (512K × 8) Static RAM finds extensive application in systems requiring high-speed, low-power memory solutions with non-volatile backup capability. Primary use cases include:

-  Data Buffering and Cache Memory : Employed in networking equipment, telecommunications systems, and industrial controllers where rapid data access is critical
-  Program Storage : Serves as execution memory in embedded systems requiring fast access to frequently used code segments
-  Real-time Data Logging : Used in medical devices, automotive systems, and industrial automation for temporary storage of sensor data and system parameters
-  Backup Power Applications : Integrated battery backup circuits maintain data integrity during power interruptions

### Industry Applications
 Telecommunications : 
- Base station controllers and network switches utilize the device for packet buffering and routing tables
- Advantages: Fast access times (10ns/12ns/15ns variants) support high-throughput data processing
- Limitations: Density may be insufficient for large routing tables in core network equipment

 Industrial Automation :
- PLCs (Programmable Logic Controllers) and CNC machines employ the SRAM for program execution and temporary variable storage
- Practical advantage: Industrial temperature range (-40°C to +85°C) ensures reliable operation in harsh environments
- Limitation: Requires external battery backup for non-volatile operation

 Medical Equipment :
- Patient monitoring systems and diagnostic instruments use the memory for real-time data acquisition
- Advantage: Low standby current (40μA typical) extends battery life in portable medical devices

 Automotive Systems :
- Engine control units and infotainment systems utilize the component for temporary data storage
- Limitation: May require additional shielding in high-EMI automotive environments

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages :
-  Fast Access Times : 10ns/12ns/15ns speed grades support high-performance applications
-  Low Power Consumption : Active current of 80mA (max), standby current of 40μA (typical)
-  Wide Voltage Range : 3.0V to 3.6V operation with 5V-tolerant inputs
-  High Reliability : CMOS technology provides excellent noise immunity

 Limitations :
-  Volatile Memory : Requires continuous power or battery backup for data retention
-  Density Constraints : 4-Mbit capacity may be insufficient for memory-intensive applications
-  Package Limitations : 44-pin TSOP II package may require careful thermal management

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Power Supply Decoupling :
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 0.1μF ceramic capacitors near each VCC pin and 10μF bulk capacitor per device

 Signal Integrity Issues :
-  Pitfall : Long, unmatched trace lengths causing timing violations
-  Solution : Maintain trace lengths within 10% variation for address and data buses
-  Implementation : Use controlled impedance routing (50-65Ω) with proper termination

 Refresh Requirements :
-  Pitfall : Assuming SRAM requires refresh cycles like DRAM
-  Solution : No refresh necessary, but implement proper power-on reset sequencing

### Compatibility Issues
 Microprocessor Interfaces :
-  Compatible Processors : Direct interface with most 32-bit microcontrollers (ARM, PowerPC)
-  Timing Considerations : Verify setup/hold times match processor bus timing requirements
-  Voltage Level Translation : 5V-tolerant inputs simplify interfacing with mixed-voltage systems

 Mixed-Signal Systems :
-  Noise Sensitivity : Keep analog components away from SRAM address/data buses
-  Grounding

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1046CV33-12VC,CY7C1046CV3312VC CY 502 In Stock

Description and Introduction

1M x 4 Static RAM The CY7C1046CV33-12VC is a 4-Mbit (256K x 16) static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Organization**: 256K words × 16 bits  
- **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)  
- **Access Time**: 12 ns  
- **Operating Current**: 70 mA (typical)  
- **Standby Current**: 3 mA (typical)  
- **Package**: 44-pin TSOP II (Type II)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface**: Asynchronous  
- **Data Retention**: >20 years  
- **Features**:  
  - Low-power CMOS technology  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
  - Automatic power-down when deselected  
  - Three-state outputs  

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.

Application Scenarios & Design Considerations

1M x 4 Static RAM# CY7C1046CV3312VC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1046CV3312VC 4-Mbit (512K × 8) Static RAM finds extensive application in systems requiring high-speed, low-power memory solutions:

-  Embedded Systems : Serves as working memory for microcontrollers and microprocessors in industrial control systems, automotive ECUs, and consumer electronics
-  Data Buffering : Implements FIFO buffers in networking equipment, telecommunications systems, and data acquisition systems
-  Cache Memory : Functions as secondary cache in embedded computing applications where speed is critical
-  Temporary Storage : Provides scratchpad memory in digital signal processors and image processing systems

### Industry Applications
-  Automotive : Engine control units, infotainment systems, and advanced driver assistance systems (ADAS)
-  Industrial Automation : PLCs, motor controllers, and robotics control systems
-  Medical Devices : Patient monitoring equipment, diagnostic instruments, and portable medical devices
-  Communications : Network routers, switches, and base station equipment
-  Consumer Electronics : Smart home devices, gaming consoles, and high-end audio equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 10 ns access time enables rapid data transfer
-  Low Power Consumption : 45 mA active current and 15 μA standby current
-  Wide Voltage Range : 3.3V operation with 3.0V to 3.6V tolerance
-  Temperature Resilience : Industrial temperature range (-40°C to +85°C)
-  Non-Volatile Option : Battery backup capability for data retention

 Limitations: 
-  Density Constraints : 4-Mbit density may be insufficient for large memory requirements
-  Cost Consideration : Higher cost per bit compared to DRAM alternatives
-  Refresh Management : Requires external circuitry for battery backup scenarios
-  Package Size : 44-pin TSOP II package may limit space-constrained designs

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 0.1 μF ceramic capacitors near each VCC pin and bulk 10 μF tantalum capacitors

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on address/data lines
-  Solution : Use series termination resistors (22-33Ω) and controlled impedance routing

 Timing Violations 
-  Pitfall : Setup/hold time violations due to clock skew
-  Solution : Implement matched length routing for critical signals and proper clock distribution

### Compatibility Issues

 Voltage Level Compatibility 
- The 3.3V I/O requires level shifting when interfacing with 5V or 1.8V systems
- Use bidirectional voltage level translators for mixed-voltage systems

 Interface Timing 
- Ensure controller timing specifications match SRAM access characteristics
- Consider propagation delays in the complete signal path

 Memory Controller Compatibility 
- Verify controller supports asynchronous SRAM interface protocols
- Check for proper chip select and output enable timing relationships

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement star-point grounding for analog and digital sections
- Place decoupling capacitors within 5 mm of power pins

 Signal Routing 
- Route address and data buses as matched-length groups
- Maintain 3W rule for critical signal separation
- Use 45-degree angles instead of 90-degree bends

 Thermal Management 
- Provide adequate copper pour for heat dissipation
- Consider thermal vias under the package for enhanced cooling
- Ensure minimum 2 mm clearance from heat-generating components

## 3.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips