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CY7C1021CV33-12VE from CYPRESS

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CY7C1021CV33-12VE

Manufacturer: CYPRESS

1-Mbit (64K x 16) Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1021CV33-12VE,CY7C1021CV3312VE CYPRESS 2 In Stock

Description and Introduction

1-Mbit (64K x 16) Static RAM The CY7C1021CV33-12VE is a 1-Mbit (64K x 16) static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Key specifications include:  

- **Organization**: 64K x 16  
- **Voltage Supply**: 3.3V (VDD = 3.0V to 3.6V)  
- **Access Time**: 12 ns  
- **Operating Current**: 25 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 µA (typical, CMOS standby)  
- **Package**: 44-pin TSOP II (VE suffix)  
- **Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Low-power CMOS technology  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
  - Automatic power-down when deselected  
  - Three-state outputs  

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed, low-power memory.

Application Scenarios & Design Considerations

1-Mbit (64K x 16) Static RAM# CY7C1021CV33-12VE Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1021CV33-12VE 1-Mbit (128K × 8) static RAM is commonly deployed in applications requiring high-speed, low-power memory with non-volatile backup capabilities. Key use cases include:

-  Data Buffering Systems : Employed as temporary storage in communication interfaces, network equipment, and data acquisition systems where rapid data transfer between asynchronous clock domains is essential
-  Cache Memory Applications : Serves as secondary cache in embedded systems, industrial controllers, and automotive ECUs where fast access to frequently used data improves system performance
-  Real-time Processing : Integrated into medical devices, aerospace systems, and industrial automation equipment requiring deterministic memory access times
-  Backup Power Systems : Utilized in applications with battery backup requirements, maintaining data integrity during primary power loss through low standby current consumption

### Industry Applications
 Automotive Electronics : Engine control units, infotainment systems, and advanced driver assistance systems (ADAS) benefit from the component's -40°C to +85°C industrial temperature range and robust performance under varying environmental conditions.

 Industrial Automation : Programmable logic controllers (PLCs), motor drives, and process control systems leverage the SRAM's fast access time (12 ns) for real-time data processing and deterministic operation.

 Telecommunications : Network switches, routers, and base station equipment utilize the memory for packet buffering, configuration storage, and temporary data retention during signal processing operations.

 Medical Devices : Patient monitoring equipment, diagnostic instruments, and portable medical devices employ this SRAM for its reliable data retention and low power consumption in battery-operated scenarios.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Fast Access Time : 12 ns maximum access time enables high-speed system operation
-  Low Power Consumption : Active current of 90 mA (typical) and standby current of 15 μA (typical) support power-sensitive designs
-  Wide Voltage Range : 3.0V to 3.6V operation accommodates various 3.3V system architectures
-  High Reliability : CMOS technology provides excellent noise immunity and stable operation
-  Simple Interface : Separate byte control signals (BLE and BHE) enable flexible byte-wise memory access

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires continuous power or battery backup for data retention
-  Density Constraints : 1-Mbit density may be insufficient for applications requiring large memory arrays
-  Package Limitations : 44-pin SOJ package may present space challenges in compact designs
-  Cost Considerations : Per-bit cost higher than DRAM alternatives for high-density requirements

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Power Sequencing Issues 
-  Problem : Improper power-up/power-down sequences can cause latch-up or data corruption
-  Solution : Implement proper power management circuitry with controlled ramp rates and voltage monitoring

 Signal Integrity Challenges 
-  Problem : High-speed operation (12 ns access time) requires careful signal routing to prevent reflections and crosstalk
-  Solution : Use controlled impedance traces, proper termination, and maintain consistent trace lengths for address and data lines

 Data Retention in Backup Mode 
-  Problem : Insufficient backup current during power loss can result in data corruption
-  Solution : Design robust battery backup circuitry with adequate capacity and monitoring features

### Compatibility Issues with Other Components
 Microprocessor/Microcontroller Interface 
- Ensure timing compatibility between processor memory cycles and SRAM access times
- Verify voltage level compatibility (3.3V operation) when interfacing with 5V tolerant or mixed-voltage systems
- Check bus loading characteristics to maintain signal integrity in multi-device configurations

 Mixed-Signal Systems 
- The SRAM's digital switching noise may affect sensitive analog circuits

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