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CY7C1021BN-12VXC from CYPRESS

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CY7C1021BN-12VXC

Manufacturer: CYPRESS

1-Mbit (64K x 16) Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C1021BN-12VXC,CY7C1021BN12VXC CYPRESS 16 In Stock

Description and Introduction

1-Mbit (64K x 16) Static RAM The CY7C1021BN-12VXC is a 1-Mbit (128K x 8) static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Organization**: 128K x 8  
- **Operating Voltage**: 3.3V  
- **Access Time**: 12 ns  
- **Operating Current**: 40 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 µA (typical)  
- **Package**: 32-pin TSOP (Type I)  
- **Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface**: Asynchronous  
- **Data Retention**: >10 years  
- **Features**:  
  - Low power consumption  
  - CMOS technology  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
  - Automatic power-down when deselected  

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.

Application Scenarios & Design Considerations

1-Mbit (64K x 16) Static RAM # CY7C1021BN12VXC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C1021BN12VXC 1-Mbit (128K × 8) static RAM is commonly deployed in applications requiring:
-  Embedded Systems : Primary memory for microcontrollers and processors in industrial control systems
-  Data Buffering : Temporary storage in communication interfaces and data acquisition systems
-  Cache Memory : Secondary cache for processor-intensive operations in networking equipment
-  Program Storage : Code storage in systems requiring fast access to frequently used routines

### Industry Applications
-  Industrial Automation : PLCs, motor controllers, and robotics systems
-  Telecommunications : Network switches, routers, and base station equipment
-  Medical Devices : Patient monitoring systems and diagnostic equipment
-  Automotive Electronics : Engine control units and infotainment systems
-  Consumer Electronics : High-performance gaming consoles and set-top boxes

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 12ns access time enables rapid data retrieval
-  Low Power Consumption : 100μA typical standby current extends battery life
-  Wide Temperature Range : Industrial-grade (-40°C to +85°C) operation
-  Simple Interface : Direct microprocessor compatibility without complex timing controllers
-  Non-Volatile Data Retention : Battery backup capability for critical data preservation

 Limitations: 
-  Density Constraints : 1-Mbit capacity may be insufficient for modern high-memory applications
-  Voltage Sensitivity : Requires stable 3.3V power supply with proper decoupling
-  Refresh Requirements : Unlike DRAM, no refresh needed, but battery backup required for data retention during power loss
-  Cost per Bit : Higher than equivalent density DRAM solutions

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Pitfall 1: Insufficient Decoupling 
-  Issue : Voltage droops during simultaneous switching cause data corruption
-  Solution : Place 0.1μF ceramic capacitors within 5mm of each VCC pin and 10μF bulk capacitor per power domain

 Pitfall 2: Signal Integrity Problems 
-  Issue : Ringing and overshoot on address/data lines
-  Solution : Implement series termination resistors (22-33Ω) on high-speed signals

 Pitfall 3: Timing Violations 
-  Issue : Setup/hold time mismatches with host processor
-  Solution : Carefully model propagation delays and use conservative timing margins

### Compatibility Issues
 Microprocessor Interfaces: 
-  Direct Compatibility : Most 3.3V microcontrollers (ARM Cortex-M, PIC32, etc.)
-  Level Shifting Required : When interfacing with 5V systems
-  Bus Contention : Ensure proper bus isolation when multiple devices share data lines

 Mixed-Signal Systems: 
-  Noise Sensitivity : Keep analog components away from SRAM switching currents
-  Ground Bounce : Use split ground planes with single-point connection

### PCB Layout Recommendations
 Power Distribution: 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement star-point grounding for multiple devices
- Route power traces with minimum 20-mil width

 Signal Routing: 
- Match trace lengths for address/data buses (±50 mil tolerance)
- Maintain 3W rule for spacing between parallel traces
- Route critical signals (CE#, OE#, WE#) as point-to-point connections

 Component Placement: 
- Position decoupling capacitors directly adjacent to power pins
- Orient SRAM parallel to host processor for shortest interconnect paths
- Maintain minimum 100-mil clearance from heat-generating components

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations
 Operating Conditions: 
-  Supply Voltage : 3.3

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