128K x 8 Static RAM The CY7C1019B-12VC is a 1-Mbit (128K x 8) static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Organization**: 128K x 8  
- **Density**: 1 Mbit  
- **Supply Voltage**: 3.3V (±10%)  
- **Access Time**: 12 ns  
- **Operating Current**: 40 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 µA (typical)  
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface**: Asynchronous  
- **Features**:  
  - Low power consumption  
  - CMOS technology  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
  - Automatic power-down when deselected  

This SRAM is commonly used in applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.

128K x 8 Static RAM The CY7C1019B-12VC is a high-performance CMOS Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (CYP). Here are its key specifications:

- **Density**: 1 Megabit (128K x 8-bit)
- **Technology**: CMOS
- **Speed**: 12 ns access time
- **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)
- **Operating Current**: 60 mA (typical)
- **Standby Current**: 5 mA (typical)
- **Package**: 32-pin TSOP (Type II)
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)
- **I/O Interface**: 5V-tolerant inputs and outputs
- **Features**: 
  - Fully static operation (no clock or refresh required)
  - Low-power standby mode
  - TTL-compatible inputs and outputs
  - Three-state outputs

This information is based on the manufacturer's datasheet.

128K x 8 Static RAM The CY7C1019B-12VC is a 1-Mbit (128K x 8) static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:  

- **Organization**: 128K x 8  
- **Density**: 1 Mbit  
- **Supply Voltage**: 3.3V  
- **Access Time**: 12 ns  
- **Operating Current**: 40 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 µA (typical)  
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface**: Asynchronous  
- **Data Retention**: 10 years at 85°C  

The device features a CMOS process for low power consumption and high performance. It is commonly used in applications requiring fast and reliable SRAM storage.