4-Mbit (512 K ?8) Static RAM The CY62148EV30LL-45ZSXIT is a SRAM (Static Random Access Memory) chip manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:  

- **Memory Size**: 4 Mbit (512K x 8)  
- **Organization**: 512K words × 8 bits  
- **Supply Voltage**: 2.7V to 3.6V  
- **Access Time**: 45 ns  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C  
- **Package**: 32-pin TSOP Type I (8mm x 20mm)  
- **Interface**: Parallel  
- **Standby Current**: 3 µA (typical)  
- **Active Current**: 12 mA (typical at 3V, 45 ns)  
- **Technology**: High-performance CMOS  

This SRAM is designed for low-power applications and features automatic power-down when deselected.

4-Mbit (512 K ?8) Static RAM The CY62148EV30LL-45ZSXIT is a SRAM (Static Random-Access Memory) device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications:

1. **Memory Type**: Asynchronous SRAM  
2. **Density**: 4 Mbit (organized as 512K x 8)  
3. **Voltage Supply**: 3.0V (2.7V to 3.6V operating range)  
4. **Access Time**: 45 ns  
5. **Package**: 32-pin TSOP Type I (8mm x 20mm)  
6. **Operating Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)  
7. **Interface**: Parallel  
8. **Standby Current**: Low power consumption in standby mode  
9. **Data Retention**: Guaranteed at 2.0V  

For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the official datasheet from Cypress/Infineon.

4-Mbit (512 K ?8) Static RAM The CY62148EV30LL-45ZSXIT is a high-performance CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Memory Size**: 4 Mbit (512K x 8)
- **Technology**: CMOS
- **Supply Voltage**: 3.0V (2.7V to 3.6V operating range)
- **Access Time**: 45 ns
- **Operating Current**: 12 mA (typical at 3.0V, 45 ns)
- **Standby Current**: 3 µA (typical at 3.0V, CMOS standby)
- **Package**: 32-pin TSOP Type I (8mm x 20mm)
- **Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Features**: 
  - Low power consumption
  - TTL-compatible inputs and outputs
  - Automatic power-down when deselected
  - Three-state outputs
  - Data retention voltage: 2.0V (min)

This SRAM is designed for applications requiring high-speed, low-power memory, such as networking, telecommunications, and embedded systems.