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CY62128VLL-55ZI from CY,Cypress

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CY62128VLL-55ZI

Manufacturer: CY

1M (128K x 8) Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY62128VLL-55ZI,CY62128VLL55ZI CY 1 In Stock

Description and Introduction

1M (128K x 8) Static RAM The CY62128VLL-55ZI is a 128K x 8 (1 Mbit) Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Organization**: 128K x 8 (1,048,576 bits)  
- **Supply Voltage**: 2.2V to 3.6V  
- **Access Time**: 55 ns  
- **Operating Current**: 3 mA (typical) at 1 MHz  
- **Standby Current**: 1 µA (typical)  
- **Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 32-pin TSOP-I (Thin Small Outline Package)  
- **Interface**: Parallel  
- **Data Retention**: > 10 years  
- **Technology**: High-performance CMOS  

The device is designed for low-power applications and features automatic power-down when deselected. It is RoHS compliant.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet for CY62128VLL-55ZI.)

Application Scenarios & Design Considerations

1M (128K x 8) Static RAM# CY62128VLL55ZI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY62128VLL55ZI 128K (16K × 8) static RAM finds extensive application in systems requiring moderate-density, high-speed memory with battery backup capability:

 Primary Applications: 
-  Embedded Systems : Microcontroller-based designs requiring external RAM expansion
-  Data Buffering : Temporary storage in communication interfaces and data acquisition systems
-  Cache Memory : Secondary cache in industrial controllers and automotive ECUs
-  Backup Memory : Battery-backed configuration storage and real-time clock data retention

### Industry Applications
 Automotive Electronics: 
- Engine control units (ECUs) for temporary parameter storage
- Infotainment systems storing user preferences and navigation data
- Telematics units maintaining critical vehicle data during power cycles

 Industrial Control Systems: 
- PLCs (Programmable Logic Controllers) for program and data storage
- Sensor networks requiring local data buffering
- Robotics control systems storing motion profiles and position data

 Consumer Electronics: 
- Smart home controllers maintaining configuration settings
- Gaming peripherals with memory backup features
- Medical devices storing calibration data and patient settings

 Telecommunications: 
- Network equipment for configuration storage
- Base station controllers maintaining operational parameters
- Router and switch configuration backup

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Ultra-low standby current  (3.5 μA typical) enables extended battery backup operation
-  Wide voltage range  (2.2V to 3.6V) supports various power supply configurations
-  High-speed access  (55 ns) suitable for real-time processing applications
-  Full CMOS static design  eliminates refresh requirements
-  Industrial temperature range  (-40°C to +85°C) ensures reliability in harsh environments

 Limitations: 
-  Limited density  (128Kb) may require multiple devices for larger memory requirements
-  Asynchronous operation  requires careful timing consideration in synchronous systems
-  8-bit organization  may not be optimal for 16/32-bit systems without additional components

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Management Issues: 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 0.1 μF ceramic capacitors near each VCC pin and bulk capacitance (10-47 μF) for the power rail

 Signal Integrity Problems: 
-  Pitfall : Long, unterminated address/data lines causing signal reflections
-  Solution : Use series termination resistors (22-33Ω) on critical signals and maintain controlled impedance routing

 Timing Violations: 
-  Pitfall : Ignoring setup/hold time requirements leading to data corruption
-  Solution : Perform detailed timing analysis considering temperature and voltage variations

### Compatibility Issues

 Microcontroller Interfaces: 
-  5V Tolerant Inputs : While the device operates at 3.3V, inputs are 5V tolerant, enabling mixed-voltage system designs
-  Timing Compatibility : Ensure microcontroller memory access timing matches SRAM specifications
-  Bus Loading : Consider fan-out limitations when connecting multiple memory devices

 Mixed-Signal Systems: 
-  Noise Sensitivity : Keep analog components away from high-speed SRAM signals
-  Ground Bounce : Implement proper ground partitioning and star grounding

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution: 
- Use dedicated power and ground planes
- Place decoupling capacitors within 5 mm of VCC pins
- Implement multiple vias for power connections to reduce inductance

 Signal Routing: 
- Route address and data buses as matched-length groups
- Maintain 3W rule (three times trace width spacing) for critical signals
- Avoid 90-degree bends; use

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY62128VLL-55ZI,CY62128VLL55ZI CYPRESS 81 In Stock

Description and Introduction

1M (128K x 8) Static RAM The CY62128VLL-55ZI is a 128K x 8-bit (1 Mbit) static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Key specifications include:  

- **Organization**: 128K x 8-bit  
- **Density**: 1 Mbit  
- **Supply Voltage**: 3.0V to 3.6V  
- **Access Time**: 55 ns  
- **Operating Current**: 8 mA (typical)  
- **Standby Current**: 3 µA (typical)  
- **Package**: 32-pin TSOP Type I (8mm x 14mm)  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C  
- **Interface**: Parallel  
- **Features**: Low power, high-speed CMOS technology, TTL-compatible inputs/outputs  

This SRAM is commonly used in battery-backed and low-power applications.

Application Scenarios & Design Considerations

1M (128K x 8) Static RAM# CY62128VLL55ZI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY62128VLL55ZI 128K x 8 high-speed CMOS static RAM is primarily employed in applications requiring fast, non-volatile memory backup or high-speed data buffering. Key use cases include:

-  Data Logging Systems : Temporary storage of sensor data before transfer to permanent storage
-  Communication Buffers : High-speed data buffering in network equipment and telecommunications systems
-  Industrial Control Systems : Real-time data processing and temporary parameter storage
-  Medical Devices : Patient monitoring data buffering and temporary diagnostic information storage
-  Automotive Electronics : Sensor data processing and temporary storage in advanced driver assistance systems (ADAS)

### Industry Applications
-  Industrial Automation : PLCs, motor controllers, and process control systems
-  Consumer Electronics : Gaming consoles, set-top boxes, and smart home devices
-  Telecommunications : Network switches, routers, and base station equipment
-  Medical Equipment : Patient monitors, diagnostic imaging systems, and portable medical devices
-  Automotive Systems : Infotainment systems, navigation units, and telematics

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : 55ns access time supports real-time processing requirements
-  Low Power Consumption : 3.3V operation with automatic power-down features
-  Wide Temperature Range : Industrial temperature rating (-40°C to +85°C)
-  High Reliability : CMOS technology provides excellent noise immunity
-  Easy Integration : Standard 28-pin SOIC package with industry-standard pinout

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires battery backup or supercapacitor for data retention during power loss
-  Limited Density : 1Mbit capacity may be insufficient for large data storage applications
-  Refresh Requirements : Unlike DRAM, no refresh needed, but power consumption consideration for battery-backed applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling: 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing signal integrity issues and false memory writes
-  Solution : Implement 0.1μF ceramic capacitors at each VCC pin, with bulk 10μF tantalum capacitors distributed across the board

 Signal Integrity: 
-  Pitfall : Long, unterminated address/data lines causing signal reflections
-  Solution : Use series termination resistors (22-33Ω) on critical signals and maintain controlled impedance traces

 Timing Violations: 
-  Pitfall : Ignoring setup and hold times leading to data corruption
-  Solution : Carefully review timing diagrams and implement proper clock-to-data relationships

### Compatibility Issues

 Voltage Level Compatibility: 
- The 3.3V operation requires level shifting when interfacing with 5V systems
- Use bidirectional level shifters for mixed-voltage systems

 Bus Contention: 
- Multiple devices on shared bus may cause contention during power-up
- Implement proper bus arbitration and tristate control

 Microcontroller Interface: 
- Verify timing compatibility with host microcontroller
- Some microcontrollers may require wait state insertion for optimal performance

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution: 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Place decoupling capacitors as close as possible to power pins
- Implement star-point grounding for analog and digital sections

 Signal Routing: 
- Route address and data buses as matched-length groups
- Maintain minimum 3W spacing between parallel traces to reduce crosstalk
- Keep critical signals (CE, OE, WE) away from noisy components

 Thermal Management: 
- Provide adequate copper pour for heat dissipation
- Ensure proper airflow in enclosed systems
- Consider thermal vias under the package for improved heat transfer

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